![](x002.jpg)
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ
УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
ГОСТ 2.730-73
ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
Единая система
конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ
В СХЕМАХ.
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Unified system for design
documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices
|
ГОСТ
2.730-73
|
Дата введения 1974-07-01
1. Настоящий стандарт устанавливает правила
построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на
схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях
промышленности.
(Измененная редакция, Изм. №
3).
2. Обозначения элементов
полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Наименование
|
Обозначение
|
1. (Исключен,
Изм. № 2).
|
|
2.
Электроды:
|
|
база с
одним выводом
|
![](x004.jpg)
|
база с
двумя выводами
|
![](x006.jpg)
|
Р-эмиттер
с N-областью
|
![](x008.jpg)
|
N-эмиттер с Р-областью
|
![](x010.jpg)
|
несколько
Р-эмиттеров с N
-областью
|
![](x012.jpg)
|
несколько
N
-эмиттеров с Р-областью
|
![](x014.gif)
|
коллектор
с базой
|
![](x016.gif)
|
несколько
коллекторов, например, четыре коллектора на базе
|
![](x018.gif)
|
3.
Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью.
Переход от Р-области к N-области
и наоборот
|
![](x020.gif)
|
область
собственной электропроводности (I-область):
l)
между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP
|
![](x022.gif)
|
2) между
областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN
|
![](x024.jpg)
|
3)
между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP
|
![](x026.jpg)
|
4)
между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN
|
![](x028.gif)
|
4.
Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа
|
![](x030.jpg)
|
обедненного
типа
|
![](x032.jpg)
|
5.
Переход PN
|
![](x034.jpg)
|
6.
Переход NP
|
![](x036.jpg)
|
7. Р-канал
на подложке N-типа,
обогащенный тип
|
![](x038.jpg)
|
8. N -канал на подложке Р-типа,
обедненный тип
|
![](x040.jpg)
|
9.
Затвор изолированный
|
![](x042.jpg)
|
10.
Исток и сток
Примечание. Линия истока должна быть изображена на
продолжении линии затвора, например:
|
![](x044.jpg)
|
11.
Выводы полупроводниковых приборов:
|
|
электрически,
не соединенные с корпусом
|
![](x046.gif)
|
электрически
соединенные с корпусом
|
![](x048.jpg)
|
12.
Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать
точку
|
![](x050.jpg)
|
(Измененная редакция, Изм. №
2, 3).
3, 4. (Исключены,
Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические
свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
Наименование
|
Обозначение
|
1. Эффект туннельный
|
|
а) прямой
|
![](x052.jpg)
|
б) обращенный
|
![](x054.jpg)
|
2. Эффект лавинного пробоя:
а) односторонний
|
![](x056.jpg)
|
б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. №
2).
|
![](x058.jpg)
|
9. Эффект Шоттки
|
![](x060.jpg)
|
6. Примеры построения
обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Диод
|
|
Общее
обозначение
|
![](x062.jpg)
|
2.
Диод туннельный
|
![](x064.jpg)
|
3. Диод обращенный
|
![](x066.jpg)
|
4. Стабилитрон (диод лавинный
выпрямительный)
|
|
а) односторонний
|
![](x068.jpg)
|
б) двухсторонний
|
![](x070.jpg)
|
5. Диод теплоэлектрический
|
![](x072.jpg)
|
6. Варикап (диод емкостный)
|
![](x074.jpg)
|
7. Диод двунаправленный
|
![](x076.jpg)
|
8. Модуль с несколькими (например, тремя)
одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами
|
![](x078.gif)
|
8a. Модуль с несколькими одинаковыми
диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами
|
![](x080.jpg)
|
9. Диод Шотки
|
![](x082.jpg)
|
10. Диод светоизлучающий
|
![](x084.jpg)
|
7. Обозначения
тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование
|
Обозначение
|
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном
направлении
|
![](x086.gif)
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном
направлении
|
![](x088.jpg)
|
3. Тиристор диодный симметричный
|
![](x090.jpg)
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение
|
![](x092.jpg)
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном
направлении с управлением: по аноду
|
![](x094.jpg)
|
по катоду
|
![](x096.jpg)
|
6. Тиристор триодный выключаемый: общее
обозначение
|
![](x098.jpg)
|
запираемый в обратном направлении, с
управлением по аноду
|
![](x100.jpg)
|
запираемый в обратном направлении, с
управлением по катоду
|
![](x102.jpg)
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном
направлении:
|
|
общее обозначение
|
![](x104.jpg)
|
с управлением по аноду
|
![](x106.jpg)
|
с управлением по катоду
|
![](x108.jpg)
|
8. Тиристор триодный симметричный
(двунаправленный) - триак
|
![](x110.gif)
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в
обратном направлении
|
![](x112.jpg)
|
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением
по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения
обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Наименование
|
Обозначение
|
1. Транзистор
а) типа PNP
|
![](x114.jpg)
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего
экрана
|
![](x116.jpg)
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор
соединен с корпусом
|
![](x118.gif)
|
3. Транзистор лавинный типа NPN
|
![](x120.jpg)
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой
|
![](x122.gif)
|
5. Транзистор однопереходный с Р-базой
|
![](x124.gif)
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN
|
![](x126.jpg)
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
|
![](x128.gif)
|
8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области
|
![](x130.jpg)
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN
|
![](x132.gif)
|
Примечание. При выполнении схем
допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в
зеркальном изображении, например,
![](x134.jpg)
б) изображать корпус транзистора.
|
Таблица 8
Наименование
|
Обозначение
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N
|
![](x136.jpg)
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р
|
![](x138.jpg)
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от
подложки:
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом
|
![](x140.jpg)
|
б) обогащенного типа с N-каналом
|
![](x142.jpg)
|
в) обедненного типа с Р-каналом
|
![](x144.jpg)
|
г) обедненного типа с N-каналом
|
![](x146.jpg)
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом,
с внутренним соединением истока и подложки
|
![](x148.jpg)
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки
обогащенного типа с Р-каналом
|
![](x150.gif)
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного
типа с Р-каналом с выводом от подложки
|
![](x152.gif)
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки
|
![](x154.jpg)
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки
|
![](x156.jpg)
|
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры
построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов
приведены в табл.
9.
Таблица 9
Наименование
|
Обозначение
|
1. Фоторезистор:
а) общее обозначение
|
![](x158.jpg)
|
б) дифференциальный
|
![](x160.gif)
|
2. Фотодиод
|
![](x162.jpg)
|
З. Фототиристор
|
![](x164.jpg)
|
4. Фототранзистор:
|
|
а) типа PNP
|
![](x166.jpg)
|
б) типа NPN
|
![](x168.jpg)
|
5. Фотоэлемент
|
![](x170.jpg)
|
6. Фотобатарея
|
![](x172.jpg)
|
Таблица 10
Наименование
|
Обозначение
|
1. Оптрон диодный
|
![](x174.jpg)
|
2. Оптрон тиристорный
|
![](x176.gif)
|
3. Оптрон резисторный
|
![](x178.jpg)
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:
|
|
а) совмещенно
|
![](x180.jpg)
|
б) разнесенно
|
![](x182.jpg)
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:
а) с выводом от базы
|
![](x184.gif)
|
б) без вывода от базы
|
![](x186.gif)
|
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом.
При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками
оптического излучения и поглощения по ГОСТ
2.721-74,
например:
![](x188.gif)
2. Взаимная ориентация обозначений источника и
приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы,
например:
![](x190.gif)
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых
приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование
|
Обозначение
|
1. Датчик Холла
|
![](x192.gif)
|
Токовые выводы датчика изображены линиями,
отходящими от коротких сторон прямоугольника
|
|
2. Резистор магниточувствительный
|
![](x194.gif)
|
3. Магнитный разветвитель
|
![](x196.gif)
|
13.
Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Однофазная мостовая выпрямительная схема:
|
![](x198.gif)
|
а)
развернутое изображение
|
б) упрощенное изображение (условное
графическое обозначение)
Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение
переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет
положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.
|
![](x200.gif)
|
Пример применения условного графического
обозначения на схеме
|
![](x202.jpg)
|
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема
|
![](x204.jpg)
|
3. Диодная матрица (фрагмент)
|
![](x206.gif)
|
Примечание.
Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять
упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены
пояснения о способе включения диодов
|
![](x208.gif)
|
14. Условные графические
обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи
печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы
конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Наименование
|
Обозначение
|
Отпечатанное обозначение
|
1. Диод
|
![](x210.jpg)
|
![](x212.gif)
|
2. Транзистор типа PNР
|
![](x214.jpg)
|
![](x216.gif)
|
3. Транзистор типа NPN
|
![](x218.gif)
|
![](x220.gif)
|
4. Транзистор типа PNIP с выводом от
I-области
|
![](x222.gif)
|
![](x224.jpg)
|
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN
|
![](x226.jpg)
![](x228.jpg)
|
![](x230.jpg)
![](x232.jpg)
|
Примечание к пп. 2-5.
Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной
сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. №
4).
Приложение 1. (Исключено,
Изм. № 4).
Размеры
(в модульной сетке) основных условных графических обозначений
Наименование
|
Обозначение
|
1. Диод
|
![](x234.gif)
|
2.. Тиристор диодный
|
![](x236.gif)
|
3. Тиристор триодный
|
![](x238.jpg)
|
4. Транзистор
5. Транзистор полевой
|
![](x240.jpg)
|
6. Транзистор полевой с изолированным
затвором
|
![](x242.jpg)
|
(Введено дополнительно, Изм.
№ 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1
РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
В. Р. Верченко, Ю. И.
Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В
ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров
СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ
661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ
2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995
г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г.,
марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)