ГОСТ Р 52081-2003 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИИ Метод магнитной
памяти металла.
ГОССТАНДАРТ РОССИИ
Предисловие 1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 «Техническая диагностика» 2 ПРИНЯТ И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Госстандарта России от 10 июня 2003 г. № 191-ст 3 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ Введение Установленные в стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области неразрушающего контроля методом магнитной памяти металла. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Приведенные определения можно при необходимости изменить, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, относящиеся к определяемому понятию. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.
СОДЕРЖАНИЕ
ГОСТ Р 52081-2003
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Дата введения 2004-04-01 1 Область примененияНастоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области неразрушаю-щего метода контроля методом магнитной памяти металла. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы в области неразрушающего контроля методом магнитной памяти металла, входящих в сферу работ по стандартизации и / или использующих результаты этих работ. 2 Термины и определения1 магнитная память металла; МПМ: Последствие, которое проявляется в виде остаточной намагниченности металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся в процессе их изготовления и охлаждения в слабом магнитном поле или в виде необратимого изменения намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений и повреждений от рабочих нагрузок. Примечание - Слабое магнитное поле - геомагнитное поле и другие внешние поля в области Релея. 2 собственное магнитное поле рассеяния изделия; СМПР: Магнитное поле рассеяния, возникающее на поверхности изделия в зонах устойчивых полос скольжения дислокаций под действием рабочих или остаточных напряжений или в зонах максимальной неоднородности структуры металла. Примечание - СМПР характеризует МПМ. 3 метод магнитной памяти металла; метод МПМ: Метод неразрушающего контроля, основанный на анализе распределения СМПР на поверхности изделий для определения зон концентрации напряжений, дефектов и неоднородности структур металла и сварных соединений. 4 магнитодислокационный гистерезис: Гистерезис, обусловленный закреплением доменных границ на скоплениях дислокаций в слабом магнитном поле. 5 критический размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия (Iкр): Минимальное расстояние между двумя ближайшими устойчивыми полосами скольжения слоев металла, возникающее при потере устойчивости оболочки изделия под действием нагрузок. Примечание - Критический размер оболочки на поверхности изделия характеризуется расстоянием между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР, кратными типоразмеру оболочки. 6 напряженность СМПР: Числовая характеристика напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной на поверхности изделия методом магнитной памяти металла. 7 градиент СМПР: Отношение модуля разности напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной в двух точках контроля, к расстоянию между ними. 8 магнитный показатель деформационной способности металла (т): Отношение максимального значения градиента СМПР к среднему значению. 9 предельный магнитный показатель деформационной способности металла (мпр): Отношение максимального значения градиента СМПР, соответствующего пределу прочности металла, к среднему значению градиента СМПР, соответствующему пределу текучести металла. 10 канал измерений СМПР: Напряженность СМПР, измеренная одним феррозондовым преобразователем. 11 базовое расстояние между двумя каналами измерений СМПР (Iб): Расстояние между двумя каналами измерений СМПР, устанавливаемое при настройке датчика. 12 график СМПР: Магнитограмма, отображающая изменение СМПР по длине контролируемого участка. 13 дискретность записи напряженности СМПР: Расстояние между двумя соседними точками измерений напряженности магнитного поля рассеяния методом магнитной памяти металла. 14 калибровка аппаратуры методом МПМ: Настройка датчиков измерений магнитного поля рассеяния на эталонной катушке и измерения длины на эталонной мере длины методом магнитной памяти металла. 15 установка режима работы аппаратуры методом МПМ: Настройка аппаратуры по пунктам главного меню прибора в соответствии с методом МПМ. 16 помехи при измерениях методом МПМ: Наличие факторов, искажающих СМПР объекта контроля. Примечание - Факторы, искажающие СМПР объекта контроля: - источники сильного и неоднородного магнитного поля вблизи объекта контроля; - наличие на объекте контроля постороннего ферромагнитного изделия; - наличие внешнего магнитного поля и поля от электросварки на объекте контроля; - наличие искусственный намагниченности металла Алфавитный указатель терминов
Ключевые слова: магнитная память металла, зона концентрации напряжений, напряженность магнитного поля рассеяния, неразрушающий контроль
|