|
Термин
|
Определение
|
|
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ
|
|
1. Запоминающее
устройство ЗУ
Storage unit
|
По ГОСТ 15971
|
|
2. Запоминающий
элемент
Storage
element
|
Часть
запоминающего устройства, предназначенная для хранения наименьшей единицы
данных
|
|
3. Ячейка
запоминающего устройства
Ячейка ЗУ
Storage cell
|
Совокупность
запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти
|
|
4. Содержимое
запоминающего устройства
Storage
content
|
Данные,
хранящиеся в запоминающем устройстве
|
|
ВИДЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ
УСТРОЙСТВ
|
|
5.
Оперативное запоминающее устройство
ОЗУ
Random access
memory
RAM
|
Запоминающее
устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и
предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении
арифметико-логических операций
|
|
6. Постоянное
запоминающее устройство
ПЗУ
Read-only
memory
ROM
|
Запоминающее
устройство, из которого может производиться только считывание данных
|
|
7. Программируемое
постоянное запоминающее устройство
ППЗУ
Programmed
read-only memory
PROM
|
Постоянное
запоминающее устройство, в котором запись или смена данных проводится путем
электрического, магнитного или светового воздействия на запоминающие элементы
по заданной программе
|
|
8. Внешнее
запоминающее устройство
ВЗУ
External
storage
|
Запоминающее
устройство, подключаемое к центральной части вычислительной системы и
предназначенное для хранения большого объема данных
|
|
9. Запоминающее
устройство на магнитных сердечниках
ЗУМС
Magnetic core
film fmemory
|
-
|
|
10. Запоминающее
устройство на тонких магнитных пленках
ЗУМП
Magnetic thin
film memory
|
Запоминающее
устройство, в котором запоминающей средой является тонкий магнитный слой,
нанесенный на подложку
|
|
11. Индуктивное
запоминающее устройство
Inductor
memory
|
Запоминающее
устройство, использующее индуктивные свойства примененной в нем запоминающей
среды
|
|
12. Оптоэлектронное
запоминающее устройство
Optoelectronic
memory
|
Запоминающее
устройство, в котором используются свойства светового луча изменять
физические состояния запоминающей среды
|
|
13. Криогенное
запоминающее устройство
Cryogenic
memory
|
Запоминающее
устройство, в котором используется свойство сверхпроводимости при низких
температурах
|
|
14. Полупроводниковое
запоминающее устройство
Semiconductor
memory
|
Запоминающее
устройство, в котором запоминающей средой являются полупроводниковые элементы
|
|
15. Запоминающее
устройство на цилиндрических магнитных пленках
ЗУЦМП
Plated wire
memory
|
Запоминающее
устройство, в котором запоминающей средой является тонкая магнитная пленка,
нанесенная на поверхность проволоки
|
|
16. Запоминающее
устройство на цилиндрических магнитных доменах
Magnetic
domain device
|
Запоминающее
устройство, в котором запоминающими элементами являются цилиндрические
магнитные домены в пластинах ортоферритов
|
|
17. Конденсаторное
запоминающее устройство
Capacitor memory
|
Запоминающее
устройство, использующее емкостные свойства примененной в нем запоминающей
среды
|
|
18. Статическое
запоминающее устройство
Static memory
|
Запоминающее
устройство без регенерации данных при хранении
|
|
19. Динамическое
запоминающее устройство
Dynamic memory
|
Запоминающее
устройство с регенерацией данных при хранении
|
|
20. Энергонезависимое
запоминающее устройство
Nonvolatile
memory
|
Запоминающее
устройство, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании
|
|
21. Энергозависимое
запоминающее устройство
Volatile
memory
|
Запоминающее
устройство, содержимое которого не сохраняется при отключенном электропитании
|
|
СПОСОБЫ ДОСТУПА К
ДАННЫМ, ЗАПИСАННЫМ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ
|
|
22.
Произвольный доступ к данным
Random access
|
Способ
доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в
любой последовательности
|
|
23. Последовательный
доступ к данным
Sequential
access
|
Способ
доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в
определенной последовательности
|
|
24.
Ассоциативный доступ к данным
Associative
access
|
Способ
доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в
соответствии с признаками хранимых в них данных
|
|
25. Системный
доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках
Core (ferrite)
memory organization
|
Способ
доступа к данным, определяемый системой организации запоминающего устройства
на ферритовых сердечниках, характеризующийся количеством взаимодействующих
адресных или адресно-разрядных токов.
Примечание. Различают системы 2Д, 21/2Д,
3Д
|
|
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
26.
Информационная емкость запоминающего устройства
Емкость
Capacity
|
Наибольшее
количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем
устройстве
|
|
27. Цикл
обращения к запоминающему устройству
Access cycle
|
Минимальный
интервал времени между двумя последовательными доступами к данным
запоминающего устройства
|
|
28. Время
выборки данных
Access time
|
Интервал
времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из
запоминающего устройства
|
|
29. Время
хранения данных
Storage time
|
Интервал
времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме
сохраняет данные без регенерации
|
|
30. Скорость
передачи данных из (в) запоминающего (ее) устройства (о)
Data transfer
speed
|
Количество
данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени
|
|
РЕЖИМЫ РАБОТЫ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
31. Запись
данных
Write
|
Режим работы
запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется занесение данных
в запоминающее устройство
|
|
32.
Считывание данных
Read
|
Режим работы
запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется получение данных
из запоминающего устройства
|
|
33. Считывание
данных с разрушением
Destructive
read
|
Режим работы
запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание
данных, вызывающее их стирание
|
|
34. Считывание
данных без разрушения
Non-destructive
read
NDR
|
Режим работы
запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание
данных, не вызывающее их стирание
|
|
35. Регенерация
данных
Refresh
|
Режим работы
запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется перезапись
хранящихся данных с целью их сохранения
|
|
36. Хранение
данных
Holding
|
Режим работы
запоминающего устройства после записи или регенерации данных, обеспечивающий
возможность их последующего считывания в произвольный момент времени
|
|
ОСНОВНЫЕ
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
37. Узел
выборки адреса
Adress unit
|
Функциональный
узел запоминающего устройства, предназначенный для реализации доступа к
запоминающей ячейке путем преобразования кода адреса в соответствующие ему
сигналы на входе запоминающего узла
|
|
38. Запоминающий
узел
Memory unit
|
Функциональный
узел запоминающего устройства, предназначенный для непосредственного хранения
данных
|
|
39. Узел
считывания данных
Sensing unit
|
Функциональный
узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования локальных
физических состояний запоминающей среды в электрические сигналы
|
|
40. Узел
записи данных
Writing unit
|
Функциональный
узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования
электрических сигналов в локальные физические состояния запоминающей среды
|
|
ТЕСТЫ КОНТРОЛЯ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
|
41.
Статический тест контроля запоминающего устройства
Static test
|
Режим
проверки запоминающего устройства, при котором первоначально записанные
данные не меняются
|
|
42. Тест «Тяжелый код» контроля запоминающего
устройства
|
Статический
тест контроля запоминающего устройства, позволяющий получить максимальный
сигнал помехи считанного нуля
|
|
43. Динамический
тест контроля запоминающего устройства
Dynamic test
|
Режим
проверки запоминающего устройства, при котором записываемые данные с каждым
циклом обращения меняются
|
|
44. Тест «Дождь» контроля запоминающего устройства
|
Динамический
тест контроля запоминающего устройства, в котором записываемая информация
определяется состоянием двоичного счетчика считанных единиц
|