ГОСТ 2.730-73
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ
ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ
УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
![](4294848038.files/x241.jpg)
|
Москва
Стандартинформ
2010
|
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.
Приборы полупроводниковые
Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices
|
ГОСТ
2.730-73
|
Дата введения 01.07.74
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения
условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах,
выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях
промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов
приведены в табл.
1.
Таблица 1
Наименование
|
Обозначение
|
1. (Исключен,
Изм. № 2).
|
|
2.
Электроды:
|
|
база с одним
выводом
|
![](4294848038.files/x242.jpg)
|
база с двумя
выводами
|
![](4294848038.files/x243.jpg)
|
Р-эмиттер
с N-областью
|
![](4294848038.files/x244.jpg)
|
N-эмиттер с Р-областью
|
![](4294848038.files/x245.jpg)
|
несколько Р-эмиттеров
с N -областью
|
![](4294848038.files/x246.jpg)
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью
|
![](4294848038.files/x247.jpg)
|
коллектор с
базой
|
![](4294848038.files/x248.jpg)
|
несколько
коллекторов, например, четыре коллектора на базе
|
![](4294848038.files/x249.jpg)
|
3. Области:
область
между проводниковыми слоями с различной электропроводностью.
Переход от Р-области
к N-области и наоборот
|
![](4294848038.files/x250.png)
|
область
собственной электропроводности (I-область):
l) между
областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP
|
![](4294848038.files/x251.png)
|
2) между
областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN
|
![](4294848038.files/x252.png)
|
3) между
коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP
|
![](4294848038.files/x253.jpg)
|
4) между
коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN
|
![](4294848038.files/x254.jpg)
|
4. Канал
проводимости для полевых транзисторов:
обогащенного
типа
|
![](4294848038.files/x255.png)
|
обедненного
типа
|
![](4294848038.files/x256.png)
|
5. Переход PN
|
![](4294848038.files/x257.jpg)
|
6. Переход NP
|
![](4294848038.files/x258.jpg)
|
7. Р-канал
на подложке N-типа, обогащенный тип
|
![](4294848038.files/x259.jpg)
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип
|
![](4294848038.files/x260.jpg)
|
9. Затвор
изолированный
|
![](4294848038.files/x261.jpg)
|
10. Исток и
сток
Примечание. Линия истока должна быть
изображена на продолжении линии затвора, например:
|
![](4294848038.files/x262.jpg)
|
11. Выводы
полупроводниковых приборов:
|
|
электрически,
не соединенные с корпусом
|
![](4294848038.files/x263.jpg)
|
электрически
соединенные с корпусом
|
![](4294848038.files/x264.jpg)
|
12. Вывод
корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку
|
![](4294848038.files/x265.jpg)
|
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства
полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
______
* Таблицы 2, 3 (Исключены, Изм. № 1).
Таблица 4
Наименование
|
Обозначение
|
1. Эффект
туннельный
|
|
а) прямой
|
![](4294848038.files/x266.png)
|
б)
обращенный
|
![](4294848038.files/x267.png)
|
2. Эффект
лавинного пробоя:
а)
односторонний
|
![](4294848038.files/x268.png)
|
б)
двухсторонний
3 - 8. (Исключены,
Изм. № 2).
|
![](4294848038.files/x269.png)
|
9. Эффект
Шоттки
|
![](4294848038.files/x270.png)
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых
диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование
|
Обозначение
|
1. Диод
|
|
Общее
обозначение
|
![](4294848038.files/x271.jpg)
|
2. Диод
туннельный
|
![](4294848038.files/x272.jpg)
|
3. Диод
обращенный
|
![](4294848038.files/x273.jpg)
|
4.
Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)
|
|
а)
односторонний
|
![](4294848038.files/x274.jpg)
|
б)
двухсторонний
|
![](4294848038.files/x275.jpg)
|
5. Диод
теплоэлектрический
|
![](4294848038.files/x276.jpg)
|
6. Варикап
(диод емкостный)
|
![](4294848038.files/x277.jpg)
|
7. Диод
двунаправленный
|
![](4294848038.files/x278.jpg)
|
8. Модуль с
несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и
самостоятельными катодными выводами
|
![](4294848038.files/x279.jpg)
|
8a. Модуль с
несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными
выводами
|
![](4294848038.files/x280.jpg)
|
9. Диод
Шотки
|
![](4294848038.files/x281.jpg)
|
10. Диод
светоизлучающий
|
![](4294848038.files/x282.jpg)
|
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование
|
Обозначение
|
1. Тиристор
диодный, запираемый в обратном направлении
|
![](4294848038.files/x283.jpg)
|
2. Тиристор
диодный, проводящий в обратном направлении
|
![](4294848038.files/x284.jpg)
|
3. Тиристор
диодный симметричный
|
![](4294848038.files/x285.jpg)
|
4. Тиристор
триодный. Общее обозначение
|
![](4294848038.files/x286.jpg)
|
5. Тиристор
триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:
по аноду
|
![](4294848038.files/x287.jpg)
|
по катоду
|
![](4294848038.files/x288.jpg)
|
6. Тиристор
триодный выключаемый:
общее
обозначение
|
![](4294848038.files/x289.jpg)
|
запираемый в
обратном направлении, с управлением по аноду
|
![](4294848038.files/x290.jpg)
|
запираемый в
обратном направлении, с управлением по катоду
|
![](4294848038.files/x291.jpg)
|
7. Тиристор
триодный, проводящий в обратном направлении:
|
|
общее
обозначение
|
![](4294848038.files/x292.jpg)
|
с
управлением по аноду
|
![](4294848038.files/x293.jpg)
|
с
управлением по катоду
|
![](4294848038.files/x294.jpg)
|
8. Тиристор
триодный симметричный (двунаправленный) - триак
|
![](4294848038.files/x295.jpg)
|
9. Тиристор
тетроидный, запираемый в обратном направлении
|
![](4294848038.files/x296.jpg)
|
Примечание.
Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде
продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами
приведены в табл.
7.
Таблица 7
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Транзистор
а) типа PNP
|
![](4294848038.files/x297.jpg)
|
б) типа NPN
с выводом от внутреннего экрана
|
![](4294848038.files/x298.jpg)
|
2.
Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
|
![](4294848038.files/x299.jpg)
|
3.
Транзистор лавинный типа NPN
|
![](4294848038.files/x300.jpg)
|
4.
Транзистор однопереходный с N-базой
|
![](4294848038.files/x301.jpg)
|
5.
Транзистор однопереходный с Р-базой
|
![](4294848038.files/x302.jpg)
|
6.
Транзистор двухбазовый типа NPN
|
![](4294848038.files/x303.jpg)
|
7.
Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
|
![](4294848038.files/x304.jpg)
|
8.
Транзистор двухразовый типа PNIN с
выводом от I-области
|
![](4294848038.files/x305.jpg)
|
9.
Транзистор многоэмиттерный типа NPN
|
![](4294848038.files/x306.jpg)
|
Примечание. При выполнении схем
допускается:
а) выполнять
обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
![](4294848038.files/x307.jpg)
б)
изображать корпус транзистора.
|
Таблица 8
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Транзистор полевой с каналом типа N
|
![](4294848038.files/x308.jpg)
|
2.
Транзистор полевой с каналом типа Р
|
![](4294848038.files/x309.jpg)
|
3.
Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:
|
|
а)
обогащенного типа с Р-каналом
|
![](4294848038.files/x310.jpg)
|
б)
обогащенного типа с N-каналом
|
![](4294848038.files/x311.jpg)
|
в)
обедненного типа с Р-каналом
|
![](4294848038.files/x312.jpg)
|
г)
обедненного типа с N-каналом
|
![](4294848038.files/x313.jpg)
|
4.
Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом,
с внутренним соединением истока и подложки
|
![](4294848038.files/x314.jpg)
|
5.
Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки
обогащенного типа с Р-каналом
|
![](4294848038.files/x315.jpg)
|
6.
Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом
с выводом от подложки
|
![](4294848038.files/x316.jpg)
|
7.
Транзистор полевой с затвором Шоттки
|
![](4294848038.files/x317.jpg)
|
8.
Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки
|
![](4294848038.files/x318.jpg)
|
Примечание.
Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений
фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Фоторезистор:
а) общее
обозначение
|
![](4294848038.files/x319.jpg)
|
б)
дифференциальный
|
![](4294848038.files/x320.jpg)
|
2. Фотодиод
|
![](4294848038.files/x321.jpg)
|
З.
Фототиристор
|
![](4294848038.files/x322.jpg)
|
4.
Фототранзистор:
|
|
а) типа PNP
|
![](4294848038.files/x323.jpg)
|
б) типа NPN
|
![](4294848038.files/x324.jpg)
|
5.
Фотоэлемент
|
![](4294848038.files/x325.jpg)
|
6.
Фотобатарея
|
![](4294848038.files/x326.jpg)
|
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
приведены в табл. 10
Таблица 10
Наименование
|
Обозначение
|
1. Оптрон
диодный
|
![](4294848038.files/x327.jpg)
|
2. Оптрон
тиристорный
|
![](4294848038.files/x328.jpg)
|
3. Оптрон
резисторный
|
![](4294848038.files/x329.jpg)
|
4. Прибор
оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:
|
|
а)
совмещенно
|
![](4294848038.files/x330.jpg)
|
б)
разнесенно
|
![](4294848038.files/x331.jpg)
|
5. Прибор
оптоэлектронный с фототранзистором:
а) с выводом
от базы
|
![](4294848038.files/x332.jpg)
|
б) без
вывода от базы
|
![](4294848038.files/x333.jpg)
|
Примечания:
1. Допускается
изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак
оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и
поглощения по ГОСТ
2.721-74,
например:
![](4294848038.files/x334.jpg)
2. Взаимная ориентация обозначений источника и
приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы,
например:
![](4294848038.files/x335.jpg)
12. Примеры построения обозначений прочих
полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование
|
Обозначение
|
1. Датчик
Холла
|
![](4294848038.files/x336.jpg)
|
Токовые
выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон
прямоугольника
|
|
2. Резистор
магниточувствительный
|
![](4294848038.files/x337.jpg)
|
3. Магнитный
разветвитель
|
![](4294848038.files/x338.jpg)
|
13.
Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Однофазная мостовая выпрямительная схема:
|
![](4294848038.files/x339.jpg)
|
а)
развернутое изображение
|
б)
упрощенное изображение (условное графическое обозначение)
Примечание. К выводам 1 - 2
подключается напряжение переменного тока; выводы 3 - 4 - выпрямленное
напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.
Цифры 1, 2,
3 и 4 указаны для пояснения.
|
![](4294848038.files/x340.jpg)
|
Пример
применения условного графического обозначения на схеме
|
![](4294848038.files/x341.jpg)
|
2.
Трехфазная мостовая выпрямительная схема
|
![](4294848038.files/x342.jpg)
|
3. Диодная
матрица (фрагмент)
|
![](4294848038.files/x343.jpg)
|
Примечание. Если все диоды
в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный
способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о
способе включения диодов
|
![](4294848038.files/x344.jpg)
|
14. Условные графические обозначения полупроводниковых
приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ
предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации,
приведены в табл.
13.
Таблица 13
Наименование
|
Обозначение
|
Отпечатанное
обозначение
|
1. Диод
|
![](4294848038.files/x345.jpg)
|
![](4294848038.files/x346.jpg)
|
2.
Транзистор типа PNР
|
![](4294848038.files/x347.jpg)
|
![](4294848038.files/x348.jpg)
|
3.
Транзистор типа NPN
|
![](4294848038.files/x349.jpg)
|
![](4294848038.files/x350.jpg)
|
4.
Транзистор типа PNIP с выводом от I-области
|
![](4294848038.files/x351.jpg)
|
![](4294848038.files/x352.jpg)
|
5.
Многоэмиттерный транзистор типа NPN
|
![](4294848038.files/x353.jpg)
![](4294848038.files/x354.jpg)
|
![](4294848038.files/x355.jpg)
![](4294848038.files/x356.jpg)
|
Примечание
к пп. 2 - 5. Звездочкой отмечают вывод базы,
знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных
графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1.
(Исключено, Изм. №
4).
Размеры (в модульной сетке)
основных условных графических обозначений
Наименование
|
Обозначение
|
1. Диод
|
![](4294848038.files/x357.jpg)
|
2.. Тиристор
диодный
|
3. Тиристор
триодный
|
![](4294848038.files/x358.jpg)
|
4.
Транзистор
|
![](4294848038.files/x359.jpg)
|
5.
Транзистор полевой
|
6.
Транзистор полевой с изолированным затвором
|
![](4294848038.files/x360.jpg)
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 2.
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН
Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением
Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ
2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями № 1, 2,
3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г.
(ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)