ГОСТ 2.730-73
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ
ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ
УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
|
Москва
Стандартинформ
2010
|
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.
Приборы полупроводниковые
Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices
|
ГОСТ
2.730-73
|
Дата введения 01.07.74
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения
условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах,
выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях
промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов
приведены в табл.
1.
Таблица 1
Наименование
|
Обозначение
|
1. (Исключен,
Изм. № 2).
|
|
2.
Электроды:
|
|
база с одним
выводом
|
|
база с двумя
выводами
|
|
Р-эмиттер
с N-областью
|
|
N-эмиттер с Р-областью
|
|
несколько Р-эмиттеров
с N -областью
|
|
несколько N -эмиттеров с Р-областью
|
|
коллектор с
базой
|
|
несколько
коллекторов, например, четыре коллектора на базе
|
|
3. Области:
область
между проводниковыми слоями с различной электропроводностью.
Переход от Р-области
к N-области и наоборот
|
|
область
собственной электропроводности (I-область):
l) между
областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP
|
|
2) между
областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN
|
|
3) между
коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP
|
|
4) между
коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN
|
|
4. Канал
проводимости для полевых транзисторов:
обогащенного
типа
|
|
обедненного
типа
|
|
5. Переход PN
|
|
6. Переход NP
|
|
7. Р-канал
на подложке N-типа, обогащенный тип
|
|
8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип
|
|
9. Затвор
изолированный
|
|
10. Исток и
сток
Примечание. Линия истока должна быть
изображена на продолжении линии затвора, например:
|
|
11. Выводы
полупроводниковых приборов:
|
|
электрически,
не соединенные с корпусом
|
|
электрически
соединенные с корпусом
|
|
12. Вывод
корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку
|
|
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства
полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
______
* Таблицы 2, 3 (Исключены, Изм. № 1).
Таблица 4
Наименование
|
Обозначение
|
1. Эффект
туннельный
|
|
а) прямой
|
|
б)
обращенный
|
|
2. Эффект
лавинного пробоя:
а)
односторонний
|
|
б)
двухсторонний
3 - 8. (Исключены,
Изм. № 2).
|
|
9. Эффект
Шоттки
|
|
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых
диодов приведены в табл. 5.
Таблица 5
Наименование
|
Обозначение
|
1. Диод
|
|
Общее
обозначение
|
|
2. Диод
туннельный
|
|
3. Диод
обращенный
|
|
4.
Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)
|
|
а)
односторонний
|
|
б)
двухсторонний
|
|
5. Диод
теплоэлектрический
|
|
6. Варикап
(диод емкостный)
|
|
7. Диод
двунаправленный
|
|
8. Модуль с
несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и
самостоятельными катодными выводами
|
|
8a. Модуль с
несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными
выводами
|
|
9. Диод
Шотки
|
|
10. Диод
светоизлучающий
|
|
7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование
|
Обозначение
|
1. Тиристор
диодный, запираемый в обратном направлении
|
|
2. Тиристор
диодный, проводящий в обратном направлении
|
|
3. Тиристор
диодный симметричный
|
|
4. Тиристор
триодный. Общее обозначение
|
|
5. Тиристор
триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:
по аноду
|
|
по катоду
|
|
6. Тиристор
триодный выключаемый:
общее
обозначение
|
|
запираемый в
обратном направлении, с управлением по аноду
|
|
запираемый в
обратном направлении, с управлением по катоду
|
|
7. Тиристор
триодный, проводящий в обратном направлении:
|
|
общее
обозначение
|
|
с
управлением по аноду
|
|
с
управлением по катоду
|
|
8. Тиристор
триодный симметричный (двунаправленный) - триак
|
|
9. Тиристор
тетроидный, запираемый в обратном направлении
|
|
Примечание.
Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде
продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами
приведены в табл.
7.
Таблица 7
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Транзистор
а) типа PNP
|
|
б) типа NPN
с выводом от внутреннего экрана
|
|
2.
Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
|
|
3.
Транзистор лавинный типа NPN
|
|
4.
Транзистор однопереходный с N-базой
|
|
5.
Транзистор однопереходный с Р-базой
|
|
6.
Транзистор двухбазовый типа NPN
|
|
7.
Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
|
|
8.
Транзистор двухразовый типа PNIN с
выводом от I-области
|
|
9.
Транзистор многоэмиттерный типа NPN
|
|
Примечание. При выполнении схем
допускается:
а) выполнять
обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б)
изображать корпус транзистора.
|
Таблица 8
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Транзистор полевой с каналом типа N
|
|
2.
Транзистор полевой с каналом типа Р
|
|
3.
Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:
|
|
а)
обогащенного типа с Р-каналом
|
|
б)
обогащенного типа с N-каналом
|
|
в)
обедненного типа с Р-каналом
|
|
г)
обедненного типа с N-каналом
|
|
4.
Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом,
с внутренним соединением истока и подложки
|
|
5.
Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки
обогащенного типа с Р-каналом
|
|
6.
Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом
с выводом от подложки
|
|
7.
Транзистор полевой с затвором Шоттки
|
|
8.
Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки
|
|
Примечание.
Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений
фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Фоторезистор:
а) общее
обозначение
|
|
б)
дифференциальный
|
|
2. Фотодиод
|
|
З.
Фототиристор
|
|
4.
Фототранзистор:
|
|
а) типа PNP
|
|
б) типа NPN
|
|
5.
Фотоэлемент
|
|
6.
Фотобатарея
|
|
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
приведены в табл. 10
Таблица 10
Наименование
|
Обозначение
|
1. Оптрон
диодный
|
|
2. Оптрон
тиристорный
|
|
3. Оптрон
резисторный
|
|
4. Прибор
оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:
|
|
а)
совмещенно
|
|
б)
разнесенно
|
|
5. Прибор
оптоэлектронный с фототранзистором:
а) с выводом
от базы
|
|
б) без
вывода от базы
|
|
Примечания:
1. Допускается
изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак
оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и
поглощения по ГОСТ
2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и
приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы,
например:
12. Примеры построения обозначений прочих
полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование
|
Обозначение
|
1. Датчик
Холла
|
|
Токовые
выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон
прямоугольника
|
|
2. Резистор
магниточувствительный
|
|
3. Магнитный
разветвитель
|
|
13.
Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Однофазная мостовая выпрямительная схема:
|
|
а)
развернутое изображение
|
б)
упрощенное изображение (условное графическое обозначение)
Примечание. К выводам 1 - 2
подключается напряжение переменного тока; выводы 3 - 4 - выпрямленное
напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.
Цифры 1, 2,
3 и 4 указаны для пояснения.
|
|
Пример
применения условного графического обозначения на схеме
|
|
2.
Трехфазная мостовая выпрямительная схема
|
|
3. Диодная
матрица (фрагмент)
|
|
Примечание. Если все диоды
в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный
способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о
способе включения диодов
|
|
14. Условные графические обозначения полупроводниковых
приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ
предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации,
приведены в табл.
13.
Таблица 13
Наименование
|
Обозначение
|
Отпечатанное
обозначение
|
1. Диод
|
|
|
2.
Транзистор типа PNР
|
|
|
3.
Транзистор типа NPN
|
|
|
4.
Транзистор типа PNIP с выводом от I-области
|
|
|
5.
Многоэмиттерный транзистор типа NPN
|
|
|
Примечание
к пп. 2 - 5. Звездочкой отмечают вывод базы,
знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных
графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1.
(Исключено, Изм. №
4).
Размеры (в модульной сетке)
основных условных графических обозначений
Наименование
|
Обозначение
|
1. Диод
|
|
2.. Тиристор
диодный
|
3. Тиристор
триодный
|
|
4.
Транзистор
|
|
5.
Транзистор полевой
|
6.
Транзистор полевой с изолированным затвором
|
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 2.
(Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН
Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением
Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ 661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ
2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями № 1, 2,
3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г.
(ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)