На главную | База 1 | База 2 | База 3
Испытания и Сертификация Испытательный центр Орган по сертификации Строительная экспертиза Обследование зданий Тепловизионный контроль Ультразвуковой контроль Проектные работы Контроль качества строительства Нормативные базы Государственные стандартыДекларация о соответствии Единый перечень продукции ТС Классификатор государственных стандартов Общероссийский классификатор стандартов Обязательная сертификация Окп Тематические сборники Технические регламенты РФ Технические регламенты Таможенного союзаСтроительная документацияТехническая документация

Библиотека государственных стандартов

Дата актуализации: 01.01.2026

1 . . . 1477 1478 1479 1480 1481 [1482] 1483 1484 1485 1486 1487 1488 . . . 5270 (52699 найдено)
ОбозначениеДата введенияСтатус
ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме01.01.1982действует
Название англ.: Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме01.01.1982действует
Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74
1 . . . 1477 1478 1479 1480 1481 [1482] 1483 1484 1485 1486 1487 1488 . . . 5270 (52699 найдено)