| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81,  ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79, ГОСТ 30617-98 в части модулей, СТ СЭВ 1135-88, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60147-IJ(1981);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23900-87;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88 |
| ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.07.1988 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79, CT CЭB 1136-86, IEC 60191-2(1966);IEC 60191-2A(1969);IEC 60191-2B(1969);IEC 60191-2C(1970);IEC 60191-2D(1971);IEC 60191-2E(1974);IEC 60191-2F(1976);IEC 60191-2G(1978);IEC 60191-2H(1978);IEC 60191-2J(1980);IEC 60191-2K(1981);IEC 60191-2L(1982);IEC 60191-2M(1983) |
| ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. Test and measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках Нормативные ссылки: СТ СЭВ 1656-79, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);ГОСТ 8.207-76;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 15150-69 |
| ГОСТ 25293-82 Охладители воздушных систем охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Общие технические условия | 01.01.1983 | действует |
| Название англ.: Coolers of air-cooling system of power semiconducting devices. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на охладители воздушных систем охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Настоящий стандарт не распространяется на охладители, работающие в средах: с токопроводящей пылью; содержащих едкие газы, разрушающие металлы и изоляцию; взрывоопасных Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3161-81;СТ СЭВ 3162-81;СТ СЭВ 3163-81, ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 20859.1-79;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 24287-80 |
| ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | действует |
| Название англ.: Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров Нормативные ссылки: CT CЭB 5538-86, IEC 147-2-63;IEC 147-2C-70;IEC 147-2M-80;IEC 747-1-83;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 20003-74 |