| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
Название англ.: Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки:  ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
| ГОСТ 24354-80 Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor character displays. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы и устанавливает типы корпусов, габаритные и присоединительные размеры индикаторов, высоту знаков и элементов отображения шкальных индикаторов, шаги между знаками, элементами отображения шкальных индикаторов и модулей экрана Нормативные ссылки: ГОСТ 25066-81 |
| ГОСТ 24458-80 Оптопары полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor optoelectronic couplers. Essential parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на диодные, транзисторные и тиристорные оптопары, предназначенные для использования в радиоэлектронной аппаратуре, и устанавливает ряды основных электрических параметров |
| ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Intergated microcircuits for storages and its elements. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядной связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов Нормативные ссылки: ГОСТ 19420-74 в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств;ГОСТ 17447-72 в части пп. 3 и 4 |
| ГОСТ 24460-80 Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Intergated microcircuits for digital devices. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы цифровых устройств: регистры, счетчики (делители частоты), дешифраторы, шифраторы, сумматоры, полусумматоры, арифметическо-логические устройства, а также усилители индикации и схемы сопряжения с магистралью и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных электрических параметров для различных схемно-технологических вариантов изготовления при нормальных климатических условиях Нормативные ссылки: ГОСТ 17447-72 в части пп. 5 и 6;ГОСТ 19420-74 в части элементов арифметических и дискретных устройств, ГОСТ 16962-71 |
| ГОСТ 24736-81 Преобразователи интегральные цифро-аналоговые и аналого-цифровые. Основные параметры | 01.07.1982 | действует |
| Название англ.: Digital-analogue and analogue-digital integrated converters. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы линейных двоичных одноканальных цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных электрических параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 19420-74 в части преобразователей аналог-код и код-аналог |
| ГОСТ 24891-81 Индикаторы знакосинтезирующие газоразрядные. Основные параметры | 01.07.1982 | действует |
| Название англ.: Plasma signal produce displays. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на газоразрядные матричные знакосинтезирующие индикаторы переменного тока, с самосканированием, постоянного тока и устанавливает ряды значений основных параметров, их допустимые сочетания |
| ГОСТ 25763-83 Источники высокоинтенсивного оптического излучения газоразрядные для накачки лазеров. Основные размеры | 01.07.1984 | действует |
| Название англ.: Gas-discharge sources of high-intensity optical radiation for laser pumping. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на трубчатые прямые газоразрядные источники высокоинтенсивного оптического излучения импульсного и нерерывного действия, применяемые для накачки лазеров производственно-технического назначения и изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта, и устанавливает допустимые сочетания значений типовых внутренних диаметров, расстояний между электродами ламп и присоединительных размеров Нормативные ссылки: ГОСТ 17399-77;ГОСТ 20574-80;ГОСТ 24574-81 |
| ГОСТ 26169-84 Совместимость радиоэлектронных средств электромагнитная. Нормы коэффициентов комбинационных составляющих биполярных мощных высокочастотных линейных транзисторов | 01.07.1985 | действует |
| Название англ.: Radioelectronic equipment electromagnetic compatibility. High-power bipolar high-frequency linear transistors intermodulation component coefficient standards Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные транзисторы с выходной мощностью Pвых > 1 Вт и рабочей частотой f раб = 1,5-80 МГц и устанавливает нормы коэффициентов комбинационных составляющих третьего M3 и пятого M5 порядков спектра выходного сигнала |
| ГОСТ 26575-85 Отверстия сквозные цилиндрические для установки электрорадиоэлементов. Размеры | 01.07.1986 | не действует в РФ |
| Название англ.: Cylindrical throuch holes for installation of electric radio elements. Dimensions Нормативные ссылки: ГОСТ 10317-79;ГОСТ 11284-75;ГОСТ 6636-69 |