| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1978 | не действует в РФ |
Название англ.: Semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности Нормативные ссылки:  ГОСТ 15133-69, СТ СЭВ 2767-85, ГОСТ Р 57436-2017, ГОСТ 21934-83;ГОСТ 25066-81 |
| ГОСТ 15606-70 Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения | 01.01.1971 | отменён |
| Название англ.: Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70;ГОСТ 10863-70 |
| ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17466-72 |
| ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры | 01.07.1989 | не действует в РФ |
| Название англ.: Semiconductor devices. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы Нормативные ссылки: ГОСТ 18472-82, СТ СЭВ 1818-86, ГОСТ Р 57439-2017, IEC 60191-1(1966);IEC 60191-2(1966) |
| ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 18577-73 |
| ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 8.010-72;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 22261-82 |
| ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.1-73, СТ СЭВ 3993-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.2-73, СТ СЭВ 4283-83, IEC 147-2;ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов: с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста. Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.3-73, СТ СЭВ 3999-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора | 01.10.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10864-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |