| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров | 01.07.1987 | действует |
Название англ.: Thyristors. Methods for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на тиристоры и устанавливает методы измерения: критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии; тока удержания и тока включения; постоянного и повторяющегося импульсного тока в закрытом состоянии, постоянного и повторяющегося импульсного обратного тока; постоянного и импульсного напряжения в открытом состоянии; неотпирающего постоянного и импульсного напряжения управления триодных тиристоров. Стандарт не распространяется на силовые тиристоры Нормативные ссылки:  ГОСТ 19138.6-74;ГОСТ 19138.8-75;ГОСТ 19138.9-75;ГОСТ 19138.10-75, IEC 60747-6;ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19138.7-74 Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания | 01.07.1975 | действует |
| Название англ.: Thyristors. Measurement method of peak gate turn-off current, peak gate turn-off voltage, peak turn-off coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на триодные запираемые тиристоры малой и средней мощности с максимально допустимым постоянным током в открытом состоянии не более 10 А и устанавливает метод измерения импульсного запирающего тока управления импульсного запирающего напряжения управления тиристора и импульсного коэффициента запирания Нормативные ссылки: ГОСТ 19138.0-85 |
| ГОСТ 19319-82 Лазеры твердотельные. Основные параметры | 01.01.1983 | действует |
| Название англ.: Solid-state lasers. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на твердотельные лазеры и устанавливает ряды числовых значений основных параметров лазеров импульсного режима работы периодического и непериодического действия, а также работающих в режиме модуляции добротности при непрерывной накачке, и лазеров непрерывного режима работы Нормативные ссылки: ГОСТ 19319-73, ГОСТ 15093-75 |
| ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования | 01.07.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of conversion losses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц методы измерения потерь преобразования: дифференциальный матод; метод амплитудной модуляции. Методы измерений потерь преобразований в диапазоне частот от 78,3 до 300 ГГц следует устанавливать в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3408-81, IEC 60147-2K;ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |