| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
Название англ.: Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки:  ГОСТ 17466-72 |
| ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений | 01.07.1973 | действует |
| Название англ.: Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations Область применения: Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления |
| ГОСТ 17772-88 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик | 01.07.1989 | не действует в РФ |
| Название англ.: Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics Область применения: Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм. Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений. Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик Нормативные ссылки: ГОСТ 17772-79, СТ СЭВ 3789-82, ГОСТ Р 59607-2021, ГОСТ 8.001-80;ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 8.186-83;ГОСТ 8.198-85;ГОСТ 8.207-76;ГОСТ 8.326-78;ГОСТ 8.383-80;ГОСТ 8.513-84;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.019-79;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.1.031-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.2.007.1-75;ГОСТ 12.2.007.2-75;ГОСТ 12.2.007.3-75;ГОСТ 12.2.007.4-75;ГОСТ 12.2.007.5-75;ГОСТ 12.2.007.6-75;ГОСТ 12.2.007.7-75;ГОСТ 12.2.007.8-75;ГОСТ 12.2.007.9-75;ГОСТ 12.2.007.10-75;ГОСТ 12.2.007.11-75;ГОСТ 12.2.007.12-75;ГОСТ 12.2.007.13-75;ГОСТ 12.2.007.14-75;ГОСТ 12.2.032-78;ГОСТ 12.2.033-78;ГОСТ 12.3.002-75;ГОСТ 12.4.013-85;ГОСТ 3044-84;ГОСТ 3789-82;ГОСТ 9293-74;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 18986.4-73 |
| ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры | 01.07.1989 | не действует в РФ |
| Название англ.: Semiconductor devices. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы Нормативные ссылки: ГОСТ 18472-82, СТ СЭВ 1818-86, ГОСТ Р 57439-2017, IEC 60191-1(1966);IEC 60191-2(1966) |
| ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 18577-73 |
| ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 8.010-72;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 22261-82 |
| ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.1-73, СТ СЭВ 3993-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.2-73, СТ СЭВ 4283-83, IEC 147-2;ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов: с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста. Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.3-73, СТ СЭВ 3999-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора | 01.10.1976 | действует |
| Название англ.: Transistors. Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ 10864-68, СТ СЭВ 3998-83, ГОСТ 18604.0-83 |