| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума | 01.01.1982 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума Нормативные ссылки: IEC 60147-2G; ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.14-88 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением Нормативные ссылки: ОСТ 11336.916-80, ГОСТ 20398.0-83 |
| ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | действует |
| Название англ.: Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров Нормативные ссылки: CT CЭB 5538-86, IEC 147-2-63;IEC 147-2C-70;IEC 147-2M-80;IEC 747-1-83;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 20003-74 |
| ГОСТ Р 71015-2023 Микросхемы интегральные. Фильтры. Система параметров | 01.03.2024 | действует |
| Название англ.: Integrated circuits. Filters. Parameters system Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые интегральные микросхемы – фильтры (далее – фильтры) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на фильтры конкретных типов при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации фильтров в соответствии с действующим законодательством Нормативные ссылки: ГОСТ Р 57435;ГОСТ Р 57441 |
| ГОСТ Р 71054-2023 Транзисторы биполярные. Система параметров | 01.03.2024 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Parameters system Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые биполярные транзисторы (далее – транзисторы) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащих включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации транзисторов в соответствии с действующим законодательством Нормативные ссылки: ГОСТ 20003 |
| ГОСТ Р 71056-2023 Транзисторы полевые. Система параметров | 01.03.2024 | действует |
| Название англ.: Field effect transistor. Parameters system Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полевые транзисторы (далее – транзисторы). Стандарт устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащие включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские (НИР) и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опытных образцов Нормативные ссылки: ГОСТ 19095 |
| ГОСТ Р 71069-2023 Излучатели полупроводниковые. Система параметров | 01.03.2024 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Parameters system Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые излучатели инфракрасного диапазона излучения (далее – излучатели) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на излучатели конкретных типов при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов Нормативные ссылки: ГОСТ 27299 |