| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | 01.07.1979 | действует |
Название англ.: Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals Область применения: Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала Нормативные ссылки:  ГОСТ 10869-68, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.19-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения | 01.07.1989 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.19-78, IEC 60147-2(1963);ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте | 01.01.1980 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума: сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц; способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3996-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер | 01.01.1980 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах Нормативные ссылки: ГОСТ 13852-68, СТ СЭВ 4289-83, ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора | 01.07.1982 | действует |
| Название англ.: Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением (усилителя) Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-83 |
| ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров | 01.07.1986 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения Нормативные ссылки: CT CЭB 4757-85, ГОСТ 18604.0-83;ГОСТ 20003-74 |
| ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) | 01.07.1987 | действует |
| Название англ.: Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения Нормативные ссылки: IEC 147-2C;ГОСТ 18604.0-83;CT CЭB 3994-83 |
| ГОСТ 18683.0-83 Микросхемы интегральные цифровые. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.01.1984 | действует |
| Название англ.: Digital integrated circuits. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на цифровые интегральные микросхемы (микросхемы) и устанавливает общие требования при измерении электрических параметров микросхем. Нормативные ссылки: ГОСТ 18683-76 в части разд. 1 и 2, СТ СЭВ 1622-79;СТ СЭВ 3197-81, ГОСТ 22261-82;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80 |
| ГОСТ 18683.1-83 Микросхемы интегральные цифровые. Методы измерения статистических электрических параметров | 01.01.1984 | действует |
| Название англ.: Digital integrated circuits. Methods for measuring static electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на цифровые интегральные микросхемы и устанавливает методы измерения статических электрических параметров микросхем Нормативные ссылки: ГОСТ 18683-76 в части пп. 3.1 - 3.10, СТ СЭВ 3197-81, ГОСТ 18683.0-83 |