| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме Нормативные ссылки:  ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 23769-79 |
| ГОСТ 19748.2-74 Трубки электронно-лучевые функциональные. Методы измерения основных параметров | 01.01.1976 | действует |
| Область применения: Настоящий стандарт распространяется на функциональные электронно-лучевые трубки с электростатическим отклонением и фокусировкой луча, предназначенные для получения функции двух аргументов Z=f (x, y), и устанавливает методы измерения следующих основных параметров: тока коллектора, соответствующего максимальному значению функции; средней погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции; максимальной погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции Нормативные ссылки: ГОСТ 17791-82;ГОСТ 27810-88 |
| ГОСТ 19785-74 Трубки электронно-лучевые осциллографические. Методы измерения основных параметров | 01.07.1975 | заменён |
| Название англ.: Oscillographic electron-beam tubes. Methods for measurement of basic parameters Нормативные ссылки: ГОСТ 19785-88, ГОСТ 19438.2-74;ГОСТ 12491-67;ГОСТ 11093-64;ГОСТ 8711-78;ГОСТ 13088-67;ГОСТ 597-73;ГОСТ 2388-70;ГОСТ 15856-78;ГОСТ 7324-68 |
| ГОСТ 19785-88 Трубки электронно-лучевые приемные. Методы измерения и контроля параметров | 01.01.1989 | действует |
| Название англ.: Cathode-ray tubes for reception. Methods for measurement and control of parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на приемные электронно-лучевые трубки следующих видов: осциллографические, индикаторные, фоторегистрирующие, просвечивающие, проекционные катодолюминесцентные, монохромные и цветные кинескопы, в том числе телевизионные и дисплейные (трубки). Стандарт не распространяется на сверхвысокочастотные осциллографические трубки, разработанные до 01.07.89, а также на приемные трубки производственно-технического назначения и широкого применения следующих видов: кинескопы черно-белого изображения; масочные трехпрожекторные кинескопы цветного изображения. Для измерения параметров монохромных и цветных дисплейный кинескопов, разработанных до 01.07.91, допускаются по согласованию с заказчиком (потребителем) применение методов, изложенных в ТУ на трубки Нормативные ссылки: ГОСТ 19785-74, СТ СЭВ 1353-78;СТ СЭВ 1619-79;СТ СЭВ 1620-79;СТ СЭВ 2750-80;СТ СЭВ 2751-80;СТ СЭВ 3987-83, IEC 60151-0(1966);IEC 60151-1(1966);IEC 60151-14(1975);IEC 60151-16(1968);IEC 60151-28(1978);IEC 60151-24(1971);IEC 60100(1962);ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 427-75;ГОСТ 5072-79;ГОСТ 7324-80;ГОСТ 7721-89;ГОСТ 7845-79;ГОСТ 9021-88;ГОСТ 14872-82;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 18720-90;ГОСТ 19748.0-74;ГОСТ 19748.4-74;ГОСТ 20466-75;ГОСТ 25706-83 |
| ГОСТ 19799-74 Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители Нормативные ссылки: ГОСТ 30350-96 в части общих требований к аппаратуре, ГОСТ 19480-89;ГОСТ 30350-96;СТ СЭВ 1622-79;СТ СЭВ 3411-81 |
| ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей Нормативные ссылки: ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 10863-70;ГОСТ 18986.1-73;ГОСТ 18986.2-73;ГОСТ 18986.3-73 |
| ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |