| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действует |
Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82,  ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 21493-76 Изделия электронной техники. Требования по сохраняемости и методы испытаний | 01.01.1977 | действует |
| Название англ.: Electronic components. Storageability requirements and test methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на изделия электронной техники производственно-технического назначения и народного потребления и устанавливает требования по сохраняемости изделий и методы испытаний на сохраняемость Нормативные ссылки: ГОСТ 27.002-89;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 16504-81;ГОСТ 18321-73;ГОСТ 28199-89;ГОСТ 28200-89;ГОСТ 28201-89 |
| ГОСТ 23088-80 Изделия электронной техники. Требования к упаковке, транспортированию и методы испытаний | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Electronic components. Requirements for package, transportation and test methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на изделия электронной техники, в том числе поставляемые для экспорта, и устанавливает требования к упаковке и транспортированию изделий, а также методы испытаний упаковки с изделиями Нормативные ссылки: ГОСТ 23088-78, ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 2991-85;ГОСТ 5959-80;ГОСТ 7933-89;ГОСТ 9142-84;ГОСТ 9396-88;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15846-79;ГОСТ 21650-76;ГОСТ 22637-77;ГОСТ 22638-89;ГОСТ 23135-78;ГОСТ 24385-80;ГОСТ 24634-81;ГОСТ 24927-81;ГОСТ 26653-85;ГОСТ 27324-87;СТ СЭВ 439-77 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов Нормативные ссылки: IEC 60191-2 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
| ГОСТ 24354-80 Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor character displays. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы и устанавливает типы корпусов, габаритные и присоединительные размеры индикаторов, высоту знаков и элементов отображения шкальных индикаторов, шаги между знаками, элементами отображения шкальных индикаторов и модулей экрана Нормативные ссылки: ГОСТ 25066-81 |
| ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Intergated microcircuits for storages and its elements. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядной связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов Нормативные ссылки: ГОСТ 17447-72 в части пп. 3 и 4; ГОСТ 19420-74 в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств |