| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действует |
| |
| ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Методы измерения критической частоты | 01.01.1981 | действует |
| |
| ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действует |
| Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений. |
| ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действует |
| |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действует |
| Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7 - 2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения. |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
| |
| ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует |
| |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов. |
 ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | действует |
Область применения: Стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов. Заменяет собой:  ГОСТ 18216-72 «Диоды туннельные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения» - ГОСТ 18994-73 «Стабилизаторы полупроводниковые. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 20004-74 «Диоды полупроводниковые. Электрические параметры общие. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 20005-74 «Диоды полупроводниковые. Варикапы. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 20331-74 «Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
- ГОСТ 21154-75 «Диоды полупроводниковые. Генераторы шума. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения»
|
| ГОСТ 28625-90 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | действует |
| Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы. |