| Обозначение | Дата введения | Статус |
   ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые | 01.07.1974 | взамен |
| Область применения: Стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности. Заменяет собой: |
| ГОСТ 4.137-85 Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей | 01.01.1987 | действует |
| |
| ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия | 01.07.1985 | взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления (далее — приборы), изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бескорпусные приборы, силовые полупроводниковые приборы, селеновые приборы, полупроводниковые приемники излучения, диоды СВЧ. Заменяет собой:  ГОСТ 11630-70 «Приборы полупроводниковые для устройств широкого применения. Общие технические условия» |
| ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения | 01.07.1978 | отменен в рф |
| Область применения: Стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности. Заменяет собой: |
| ГОСТ 15172-70 Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров | 01.07.1970 | действует |
| Область применения: Стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров. |
| ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
Заменяет собой: - ГОСТ 17465-72 «Приборы полупроводниковые. Диоды и тиристоры. Основные параметры» (в части пп. 1 - 12, 16 - 22)
|
| ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| |
| ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений | 01.07.1973 | действует |
| |
| ГОСТ 17772-88 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик | 01.07.1989 | взамен |
Область применения: Стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм. Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений. Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик: а) на немодулированном излучении; б) на модулированном излучении; в) на импульсном потоке; г) определение характеристик ФЭПП или ФПУ. Заменяет собой: - ГОСТ 17772-79 «Приемники излучения и устройства приемные полупроводниковые фотоэлектрические. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик» (ИУС 11-88)
|
| ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры | 01.07.1989 | отменен в рф |
Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.
Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы. Заменяет собой: - ГОСТ 18472-82 «Приборы полупроводниковые. Основные размеры» (ИУС 12-88)
|