ГОСТ 11630-84

Приборы полупроводниковые. Общие технические условия

Обозначение:	ГОСТ 11630-84
Обозначение англ:	GOST 11630-84
Статус:	взамен
Название рус.:	Приборы полупроводниковые. Общие технические условия
Название англ.:	Semiconductor devices. General specifications
Дата добавления в базу:	01.09.2013
Дата актуализации:	01.01.2021
Дата введения:	01.07.1985
Область применения:	Стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления (далее — приборы), изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные приборы, силовые полупроводниковые приборы, селеновые приборы, полупроводниковые приемники излучения, диоды СВЧ.
Оглавление:	1 Технические требования 2 Контроль качества и правила приемки    2.1 Требования по обеспечению и контролю качества в процессе производства       2.1.1 Общие требования       2.1.2 Требования к изготовлению приборов       2.1.3 Требования к качеству материалов, полуфабрикатов и комплектующих изделий       2.1.4 Требования к испытательному оборудованию и средствам измерений    2.2 Правила приемки       2.2.1 Квалификационные испытания       2.2.2 Приемно-сдаточные испытания       2.2.3 Периодические испытания       2.2.4 Испытание на сохраняемость    2.3 Методы испытаний и контроля       2.3.1 Общие положения       2.3.2 Проверка на соответствие требованиям к конструкции       2.3.3 Проверка на соответствие требованиям к электрическим параметрам и режимам       2.3.4 Проверка на соответствие требованиям к устойчивости при механических воздействиях       2.3.5 Проверка на соответствие требованиям к устойчивости при климатических воздействиях       2.3.6 Проверка на соответствие требованиям надежности       2.3.7 Проверка на соответствие требованиям к маркировке 3 Маркировка, упаковка, транспортирование и хранение    3.1 Маркировка приборов    3.2 Упаковка    3.3 Транспортирование и хранение 4 Указания по применению к эксплуатации 5 Гарантии изготовителя Приложение 1 (справочное) Информационные данные о соответствии ГОСТ 11630-84 СТ СЭВ 3992-83 Приложение 2 (обязательное) Этикетка
Утверждён:	29.06.1984 Государственный комитет СССР по стандартам (USSR National Committee on Standards 2387)
Издан:	Издательство стандартов (1986 г. )
Расположен в:	Техническая документация Электроэнергия ЭЛЕКТРОНИКА Полупроводниковые приборы Полупроводниковые приборы в целом Экология ЭЛЕКТРОНИКА Полупроводниковые приборы Полупроводниковые приборы в целом
Заменяет собой:	ГОСТ 11630-70 «Приборы полупроводниковые для устройств широкого применения. Общие технические условия»
Нормативные ссылки:	ГОСТ 15150-69 «Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнения для различных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды» ГОСТ 18242-72 «Статистический приемочный контроль по альтернативному признаку. Планы контроля» ГОСТ 14192-77 «Маркировка грузов» ГОСТ 18604.0-83 «Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров» ГОСТ 18604.10-76 «Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления» ГОСТ 18604.13-77 «Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора» ГОСТ 18604.14-77 «Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте» ГОСТ 18604.15-77 «Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока» ГОСТ 18604.16-78 «Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала» ГОСТ 18604.1-80 «Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте» ГОСТ 18604.20-78 «Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте» ГОСТ 18604.22-78 «Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер» ГОСТ 18604.23-80 «Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих» ГОСТ 18604.24-81 «Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора» ГОСТ 18604.3-80 «Транзисторы биполярные. Методы измерения емкостей коллекторного и эммитерного переходов» ГОСТ 18604.4-74 «Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора» ГОСТ 18604.5-74 «Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера» ГОСТ 18604.6-74 «Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера» ГОСТ 18604.7-74 «Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока» ГОСТ 18604.8-74 «Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости» ГОСТ 18604.9-82 «Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока» ГОСТ 18986.0-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения» ГОСТ 18986.10-74 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности» ГОСТ 18986.12-74 «Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода» ГОСТ 18986.13-74 «Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора» ГОСТ 18986.14-85 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений» ГОСТ 18986.15-75 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации» ГОСТ 18986.16-72 «Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока» ГОСТ 18986.1-73 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока» ГОСТ 18986.17-73 «Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации» ГОСТ 18986.18-73 «Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости» ГОСТ 18986.19-73 «Варикапы. Метод измерения добротности» ГОСТ 18986.20-77 «Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим» ГОСТ 18986.21-78 «Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации» ГОСТ 18986.22-78 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления» ГОСТ 18986.23-80 «Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума» ГОСТ 18986.24-83 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения» ГОСТ 18986.3-73 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока» ГОСТ 18986.4-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости» ГОСТ 18986.5-73 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения» ГОСТ 18986.6-73 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления» ГОСТ 18986.7-73 «Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда» ГОСТ 18986.8-73 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления» ГОСТ 18986.9-73 «Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения» ГОСТ 19138.4-73 «Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки» ГОСТ 19138.7-74 «Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания» ГОСТ 19834.0-75 «Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров» ГОСТ 19834.2-74 «Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости» ГОСТ 19834.3-76 «Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения» ГОСТ 19834.4-79 «Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения» ГОСТ 19834.5-80 «Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения» ГОСТ 20.57.406-81 «Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические. Методы испытаний» ГОСТ 20398.0-83 «Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров» ГОСТ 20398.11-80 «Транзисторы полевые. Метод измерения Э.Д.С. шума» ГОСТ 20398.12-80 «Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока» ГОСТ 20398.13-80 «Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток» ГОСТ 20398.1-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи» ГОСТ 20398.2-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума» ГОСТ 20398.3-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики» ГОСТ 20398.4-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости» ГОСТ 20398.5-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей» ГОСТ 20398.6-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора» ГОСТ 20398.7-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки» ГОСТ 20398.8-74 «Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока» ГОСТ 20398.9-80 «Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме» ГОСТ 21493-76 «Изделия электронной техники. Требования по сохраняемости и методы испытаний» ГОСТ 23088-80 «Изделия электронной техники. Требования к упаковке, транспортированию и методы испытаний» ГОСТ 23448-79 «Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры» ГОСТ 24354-80 «Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры» ГОСТ 24385-80 «Изделия электронной техники. Правила маркировки тары» ГОСТ 24613.0-81 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров» ГОСТ 24613.1-81 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости» ГОСТ 24613.18-77 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения сопротивления изоляции» ГОСТ 24613.19-77 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения коэффициента передачи по току» ГОСТ 24613.2-81 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки» ГОСТ 24613.3-81 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения» ГОСТ 24613.6-81 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции» ГОСТ 24613.8-83 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции» ГОСТ 24613.9-83 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров» ГОСТ 25024.4-85 «Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения яркости, силы света, неравномерности яркости и неравномерности силы света» ГОСТ 25359-82 «Изделия электронной техники. Общие требования по надежности и методы испытаний» ГОСТ 25360-82 «Изделия электронной техники. Правила приемки» ГОСТ 25467-82 «Изделия электронной техники. Классификация по условиям применения и требования по стойкости к внешним воздействующим факторам» ГОСТ 25486-82 «Изделия электронной техники. Маркировка» ГОСТ 18604.17-78 «Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающего напряжения эмиттер-база» ГОСТ 18604.18-78 «Транзисторы биполярные. Методы измерения статической крутизны прямой передачи» ГОСТ 18604.11-76 «Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах» ГОСТ 18604.19-78 «Транзисторы биполярные. Методы измерения граничного напряжения»