Обозначение | Дата введения | Статус |
 ГОСТ 25698-98 Материалы металлические спеченные, исключая твердые сплавы. Определение кажущейся твердости материалов в основном с равномерной твердостью по сечению | 01.07.2001 | действует |
Название англ.: Sintered metal materials, excluding hardmetals. Determination of apparent hardness. Materials of essentially uniform section hardness Область применения: Настоящий стандарт устанавливает методы определения твердости спеченных металлических материалов. Стандарт распространяется на: а) спеченные материалы, не подвергнутые термической обработке; б) спеченные материалы, подвергнутые термической обработке так, что их твердость в основном равномерна от поверхности до глубины не менее 5 мм Нормативные ссылки: ГОСТ 25698-83, ISO 4498-1:1990, ГОСТ 2999-75; ГОСТ 9012-59; ГОСТ 9013-59 |
 ГОСТ 25849-83 Порошки металлические. Метод определения формы частиц | 01.01.1984 | действует |
Название англ.: Metal powders. The method of the determination of particle shapl Область применения: Настоящий стандарт устанавливает микроскопический метод определения формы частиц металлических порошков Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3623-82, ГОСТ 427-75; ГОСТ 5556-81; ГОСТ 6246-71; ГОСТ 6672-75; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 9284-75; ГОСТ 9876-73; ГОСТ 12026-76; ГОСТ 13830-68; ГОСТ 18300-72; ГОСТ 22662-77; ГОСТ 23148-78 |
 ГОСТ 25947-83 Сплавы твердые спеченные. Метод определения удельного электрического сопротивления | 01.01.1985 | действует |
Название англ.: Sintered hard metals. Method of determination of electric resistance Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения удельного электрического сопротивления спеченных твердых сплавов Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3914-82, ГОСТ 427-75; ГОСТ 24703-81 |
 ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-79; ГОСТ 1770-74; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 9147-80; ГОСТ 13718-68; ГОСТ 14919-83; ГОСТ 19908-80; ГОСТ 20292-74; ГОСТ 25336-82 |
 ГОСТ 26239.1-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78; ГОСТ 804-72; ГОСТ 849-70; ГОСТ 859-78; ГОСТ 1277-75; ГОСТ 1467-77; ГОСТ 3118-77; ГОСТ 3640-79; ГОСТ 3778-77; ГОСТ 4331-78; ГОСТ 4461-77; ГОСТ 4526-75; ГОСТ 4530-76; ГОСТ 5905-79; ГОСТ 6008-82; ГОСТ 6835-80; ГОСТ 6836-80; ГОСТ 10216-75; ГОСТ 10262-73; ГОСТ 10928-75; ГОСТ 11069-74; ГОСТ 11125-84; ГОСТ 13610-79; ГОСТ 13637.1-77; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 16539-79; ГОСТ 17746-79; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 22516-77; ГОСТ 23463-79; ГОСТ 26239.0-84;ТУ 6-09-5382-88 |
 ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 83-79; ГОСТ 195-77; ГОСТ 244-76; ГОСТ 2603-79; ГОСТ 3118-77; ГОСТ 3773-72; ГОСТ 4160-74; ГОСТ 4461-77; ГОСТ 8321-74; ГОСТ 8429-77; ГОСТ 9656-75; ГОСТ 10007-80; ГОСТ 11125-84; ГОСТ 13637.1-77; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 14262-78; ГОСТ 14919-83; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 19627-74; ГОСТ 20292-74; ГОСТ 23463-79; ГОСТ 26239.0-84; ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-05-504-76;ТУ 6-09-3011-73;ТУ 6-09-3401-88;ТУ 6-09-4305-76 |
 ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79; ГОСТ 3765-78; ГОСТ 4198-75; ГОСТ 4328-77; ГОСТ 6006-78; ГОСТ 6259-75; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 9285-78; ГОСТ 10484-78; ГОСТ 10931-74; ГОСТ 11125-84; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 20015-74; ГОСТ 20288-74; ГОСТ 20490-75; ГОСТ 26239.0-84; ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-5384-88;ОСП 72/80 |
 ГОСТ 26239.4-84 Дихлорсилан. Методы определения примесей | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Dichlorsilane. Methods of inpurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает два метода определения примесей в дихлорсилане: химико-атомно-эмиссионный с возбуждением спектров дугой постоянного тока и химико-атомно-эмиссионный с возбуждением спектров разрядом с горячим полым катодом Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78; ГОСТ 804-72; ГОСТ 849-70; ГОСТ 859-78; ГОСТ 860-75; ГОСТ 1277-75; ГОСТ 3640-79; ГОСТ 3778-77; ГОСТ 5905-79; ГОСТ 6008-82; ГОСТ 6836-80; ГОСТ 8321-74; ГОСТ 10297-75; ГОСТ 10691.0-84; ГОСТ 10928-75; ГОСТ 11069-74; ГОСТ 11125-84; ГОСТ 13637.1-77; ГОСТ 13874-83; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 16024-79; ГОСТ 17746-79; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 20292-74; ГОСТ 23463-79; ГОСТ 26239.0-84 |
 ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце. Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78; ГОСТ 618-73; ГОСТ 859-78; ГОСТ 1089-82; ГОСТ 1277-75; ГОСТ 2603-79; ГОСТ 3640-79; ГОСТ 3765-78; ГОСТ 4220-75; ГОСТ 4233-77; ГОСТ 4328-77; ГОСТ 4331-78; ГОСТ 4951-79; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 6835-80; ГОСТ 9293-74; ГОСТ 10297-75; ГОСТ 10484-78; ГОСТ 11125-78; ГОСТ 12797-77; ГОСТ 13610-79; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 18289-78; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 18344-78; ГОСТ 24104-88; ГОСТ 26239.0-84;ОСП 72/87 |
 ГОСТ 26239.6-84 Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79; ГОСТ 5072-79; ГОСТ 9293-74; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 20015-74; ГОСТ 26239.0-84 |