| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 19798-74 Фотоэлементы. Общие технические условия | 01.07.1975 | действует |
Название англ.: Photocells. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные фотоэлементы и фотоумножители, содержащие один каскад усиления, предназначенные для преобразования сигналов оптического излучения в электрические и изготавливаемые для нужд народного хозяйства и для экспорта Нормативные ссылки:  ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 7842-71;ГОСТ 7933-75;ГОСТ 8828-75;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 17485-77;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 21316.0-75;ГОСТ 21316.1-75;ГОСТ 21316.2-75;ГОСТ 21316.3-75;ГОСТ 21316.4-75;ГОСТ 21316.5-75;ГОСТ 21316.6-75;ГОСТ 21316.7-75;ГОСТ 21493-76;ГОСТ 23088-80;ГОСТ 23145-78;ГОСТ 24385-80;ГОСТ 25359-82;ГОСТ 25360-82;ГОСТ 25467-82;ГОСТ 25486-82 |
| ГОСТ 19799-74 Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители Нормативные ссылки: ГОСТ 30350-96 в части общих требований к аппаратуре, ГОСТ 19480-89;ГОСТ 30350-96;СТ СЭВ 1622-79;СТ СЭВ 3411-81 |
| ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей Нормативные ссылки: ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 10863-70;ГОСТ 18986.1-73;ГОСТ 18986.2-73;ГОСТ 18986.3-73 |
| ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87 |
| ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
| ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1975 | действует |
| Название англ.: Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок Нормативные ссылки: СТ СЭВ 2770-80 |
| ГОСТ 20186-74 Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры | 01.07.1975 | действует |
| Название англ.: Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров |
| ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует |
| Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81;ГОСТ 9.076-77;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 17465-80;ГОСТ 18472-82;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74;ГОСТ 19656.2-74;ГОСТ 19656.3-74;ГОСТ 19656.4-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.6-74;ГОСТ 19656.7-74;ГОСТ 19656.9-79;ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75;ГОСТ 19656.12-76;ГОСТ 19656.13-76;ГОСТ 19656.14-79;ГОСТ 21493-76;ГОСТ 23088-80;ГОСТ 23135-78;ГОСТ 24385-80;ГОСТ 25359-82;ГОСТ 25360-82;ГОСТ 25467-82;ГОСТ 25486-82 |