| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81,  ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума Нормативные ссылки: IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, IEC 60147-2G;ГОСТ 20398.0-74 |
| ГОСТ 20398.14-88 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением Нормативные ссылки: ОСТ 11336.916-80, ГОСТ 20398.0-83 |
| ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79, ГОСТ 30617-98 в части модулей, СТ СЭВ 1135-88, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60147-IJ(1981);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23900-87;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88 |