Обозначение | Дата введения | Статус |
 ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
 ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1975 | действует |
Название англ.: Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок Нормативные ссылки: СТ СЭВ 2770-80 |
 ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81; ГОСТ 9.076-77; ГОСТ 20.57.406-81; ГОСТ 14192-77; ГОСТ 15150-69; ГОСТ 17465-80; ГОСТ 18472-82; ГОСТ 19656.0-74; ГОСТ 19656.1-74; ГОСТ 19656.2-74; ГОСТ 19656.3-74; ГОСТ 19656.4-74; ГОСТ 19656.5-74; ГОСТ 19656.6-74; ГОСТ 19656.7-74; ГОСТ 19656.9-79; ГОСТ 19656.10-75; ГОСТ 19656.11-75; ГОСТ 19656.12-76; ГОСТ 19656.13-76; ГОСТ 19656.14-79; ГОСТ 21493-76; ГОСТ 23088-80; ГОСТ 23135-78; ГОСТ 24385-80; ГОСТ 25359-82; ГОСТ 25360-82; ГОСТ 25467-82; ГОСТ 25486-82 |
 ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1985 | действует |
Название англ.: Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров. Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 20332-74, СТ СЭВ 5395-85 |
 ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров | 01.07.1984 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 12.1.030-81; ГОСТ 12.3.019-80; ГОСТ 22261-82 |
 ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74 |
 ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
 ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
 ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |
 ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 01.07.1976 | действует |
Название англ.: Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74 |