На главную | База 1 | База 2 | База 3
Испытания и Сертификация Испытательный центр Орган по сертификации Строительная экспертиза Обследование зданий Тепловизионный контроль Ультразвуковой контроль Проектные работы Контроль качества строительства Нормативные базы Государственные стандартыДекларация о соответствии Единый перечень продукции ТС Классификатор государственных стандартов Общероссийский классификатор стандартов Авиационная и космическая техника Бытовая техника и торговое оборудование. Отдых. Спорт Военная техника Гидравлические и пневматические системы и компоненты общего назначения Горное дело и полезные ископаемые Гражданское строительство Добыча и переработка нефти, газа и смежные производства Дорожно-транспортная техника Железнодорожная техника Здравоохранение Информационные технологии. Машины конторские Испытания Лакокрасочная промышленность Математика. Естественные науки Машиностроение Металлургия Метрология и измерения. Физические явления Механические системы и устройства общего назначения Общие положения. Терминология. Стандартизация. Документация Охрана окружающей среды, защита человека от воздействия окружающей среды. Безопасность Подъемно-транспортное оборудование Производство пищевых продуктов Резиновая, резинотехническая, асбесто-техничекая и пластмассовая промышленность Сельское хозяйство Стекольная и керамическая промышленность Строительные материалы и строительство Судостроение и морские сооружения Текстильное и кожевенное производство Телекоммуникации.аудио-и видеотехника Технология переработка древесины Технология получения изображений Точная механика. Ювелирное дело Упаковка и размещение грузов Услуги. Организация фирм, управление и качество. Администрация. Транспорт. Социология. Химическая промышленность Целлюлозно-бумажная промышленность Швейная промышленность Электроника Интегральные схемы. Микроэлектроника Конденсаторы Механические конструкции электронного оборудования Оптоэлектроника. Лазерное оборудование Печатные схемы и платы Полупроводниковые приборы Диоды Полупроводниковые приборы в целом Полупроводниковые приборы прочие Тиристоры Транзисторы Пьезоэлектрические и диэлектрические приборы Резисторы Электрические фильтры Электромеханические компоненты электронного оборудования и телекоммуникационного оборудования Электронные дисплеи Электронные компоненты в сборе Электронные компоненты в целом Электронные лампы Электротехника Энергетика и теплотехника Обязательная сертификация Окп Тематические сборники Технические регламенты РФ Технические регламенты Таможенного союза Строительная документацияТехническая документация

Библиотека государственных стандартов

Дата актуализации: 01.06.2024

1 . . . 5 6 7 8 9 [10] 11 12 13 14 15 16 (159 найдено)
ОбозначениеДата введенияСтатус
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения01.01.1982действует
Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75
ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров01.07.1975действует
Название англ.: Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок Нормативные ссылки: СТ СЭВ 2770-80
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия01.01.1986действует
Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81;ГОСТ 9.076-77;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 17465-80;ГОСТ 18472-82;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74;ГОСТ 19656.2-74;ГОСТ 19656.3-74;ГОСТ 19656.4-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.6-74;ГОСТ 19656.7-74;ГОСТ 19656.9-79;ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75;ГОСТ 19656.12-76;ГОСТ 19656.13-76;ГОСТ 19656.14-79;ГОСТ 21493-76;ГОСТ 23088-80;ГОСТ 23135-78;ГОСТ 24385-80;ГОСТ 25359-82;ГОСТ 25360-82;ГОСТ 25467-82;ГОСТ 25486-82
ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров01.07.1985действует
Название англ.: Thyristors. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров. Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 20332-74, СТ СЭВ 5395-85
ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров01.07.1984действует
Название англ.: Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74, СТ СЭВ 1622-79, ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 22261-82
ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей01.07.1976действует
Название англ.: Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3413-81, ГОСТ 20398.0-74
1 . . . 5 6 7 8 9 [10] 11 12 13 14 15 16 (159 найдено)