| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения | 01.07.1984 | не действует в РФ |
Название англ.: Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик. Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки:  ГОСТ 21934-76;ГОСТ 22899-78, ГОСТ Р 59605-2021, СТ СЭВ 2767-80;СТ СЭВ 3787-82 |
| ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действует |
| Название англ.: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов Нормативные ссылки: IEC 60191-2 |
| ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 01.07.1988 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79, CT CЭB 1136-86, IEC 60191-2(1966);IEC 60191-2A(1969);IEC 60191-2B(1969);IEC 60191-2C(1970);IEC 60191-2D(1971);IEC 60191-2E(1974);IEC 60191-2F(1976);IEC 60191-2G(1978);IEC 60191-2H(1978);IEC 60191-2J(1980);IEC 60191-2K(1981);IEC 60191-2L(1982);IEC 60191-2M(1983) |
| ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Gas disharge devices. Tesitrons. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на таситроны и устанавливает ряды значений основных параметров и их допустимые сочетания |
| ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры | 01.07.1981 | действует |
| Название англ.: Thyristors. Essential parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кремниевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части разд. 23, 24, 25 |
| ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
| ГОСТ 24376-91 Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия | 01.01.1992 | действует |
| Название англ.: Semiconductor inverters. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на инверторы: ведомые; летательных аппаратов; тяговые; специализированного назначения, являющиеся составными частями более сложных устройств (преобразователей частоты, блоков радиоэлектронной аппаратуры, устройств связи и др.), а также работающие во взрывоопасных средах и в средах с токопроводящей пылью Нормативные ссылки: ГОСТ 24376-86, ГОСТ 26830-86 в части полупроводниковых инверторов, IEC 60146-2(1974);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 9.005-72;ГОСТ 9.032-74;ГОСТ 9.104-79;ГОСТ 9.301-86;ГОСТ 12.1.003-83;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.023-80;ГОСТ 12.1.026-80;ГОСТ 12.1.028-80;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.2.007.11-75;ГОСТ 12.2.009-80;ГОСТ 15.001-88;ГОСТ 20.39.312-85;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 27.410-87;ГОСТ 6697-83;ГОСТ 6827-76;ГОСТ 8865-87;ГОСТ 10434-82;ГОСТ 14254-80;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543.1-89;ГОСТ 15963-79;ГОСТ 16842-82;ГОСТ 16962.1-89;ГОСТ 16962.2-90;ГОСТ 17412-72;ГОСТ 17441-84;ГОСТ 17516.1-90;ГОСТ 18620-86;ГОСТ 21128-83;ГОСТ 22352-77;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23511-79;ГОСТ 24682-81;ГОСТ 26118-84;ГОСТ 26284-84;ГОСТ 26567-85;ГОСТ 26964-86;Нормы 8-72;Нормы 15-78 |
| ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний | 01.01.1982 | действует |
| Название англ.: Power semiconductor devices. Test and measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках Нормативные ссылки: СТ СЭВ 1656-79, IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);ГОСТ 8.207-76;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 15150-69 |
| ГОСТ 24607-88 Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действует |
| Название англ.: Semiconductor frequency converters. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта. Настоящий стандарт не распространяется на бортовые преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями Нормативные ссылки: ГОСТ 24607-81;ГОСТ 26088-84, ГОСТ 26830-86 в части преобразователей частоты, IEC 60146-2(1974);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 8.002-86;ГОСТ 8.326-78;ГОСТ 8.513-84;ГОСТ 9.005-72;ГОСТ 9.032-74;ГОСТ 9.104-79;ГОСТ 9.301-86;ГОСТ 12.1.003-83;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.026-80;ГОСТ 12.1.028-80;ГОСТ 12.2.0007.0-75;ГОСТ 12.2.0007.11-75;ГОСТ 15.001-73;ГОСТ 20.39.312-85;ГОСТ 27.410-87;ГОСТ 721-77;ГОСТ 6697-83;ГОСТ 6827-76;ГОСТ 8865-87;ГОСТ 10434-82;ГОСТ 13109-87;ГОСТ 14254-80;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543.1-89;ГОСТ 15963-79;ГОСТ 16842-82;ГОСТ 16962.1-89;ГОСТ 16962.2-90;ГОСТ 17412-72;ГОСТ 17441-84;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18620-86;ГОСТ 21128-83;ГОСТ 22352-77;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23366-78;ГОСТ 23511-79;ГОСТ 24555-81;ГОСТ 24682-81;ГОСТ 26118-84;ГОСТ 26284-84;ГОСТ 26567-85 |
| ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1984 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов Нормативные ссылки: ГОСТ 18216-72;ГОСТ 18994-73;ГОСТ 20004-74;ГОСТ 20005-74;ГОСТ 20331-74;ГОСТ 21154-75 |