Обозначение | Дата введения | Статус |
ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 01.07.1989 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74 |
ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | 01.07.1977 | действует |
Название англ.: Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74 |
ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действует |
Название англ.: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-85;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.7-74 |
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.11-75 |
ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74 |
ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 23769-79 |
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действует |
Название англ.: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75 |
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует |
Название англ.: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82, ГОСТ 19834.0-75 |
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor microwave diodes. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды Нормативные ссылки: ГОСТ 20215-74, ГОСТ 8.051-81;ГОСТ 9.076-77;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 17465-80;ГОСТ 18472-82;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74;ГОСТ 19656.2-74;ГОСТ 19656.3-74;ГОСТ 19656.4-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.6-74;ГОСТ 19656.7-74;ГОСТ 19656.9-79;ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75;ГОСТ 19656.12-76;ГОСТ 19656.13-76;ГОСТ 19656.14-79;ГОСТ 21493-76;ГОСТ 23088-80;ГОСТ 23135-78;ГОСТ 24385-80;ГОСТ 25359-82;ГОСТ 25360-82;ГОСТ 25467-82;ГОСТ 25486-82 |
ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действует |
Название англ.: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов Нормативные ссылки: IEC 60191-2 |