| Обозначение | Дата введения | Статус | 
|   ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действует | 
| Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений. | 
|   ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 01.07.1987 | действует | 
|  | 
|   ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 01.07.1976 | действует | 
|  | 
|   ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действует | 
|  | 
|   ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 01.07.1977 | действует | 
| Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения. | 
|   ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 01.07.1981 | действует | 
| Область применения: Стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7 - 2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения. | 
|   ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действует | 
|  | 
|    ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1975 | действует | 
| Область применения: Стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. | 
|   ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия | 01.01.1986 | действует | 
|  | 
|    ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.07.1985 | действует | 
| Область применения: Стандарт устанавливает применяемые в науке,технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.   Заменяет собой:   ГОСТ 20332-74 «Тиристоры. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения» |