| Обозначение | Дата введения | Статус |
   ГОСТ Р 8.635-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки | 01.08.2008 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на сканирующие зондовые атомно-силовые микроскопы, применяемые для измерений линейных размеров и устанавливает методику их калибровки с использованием рельефных мер по ГОСТ Р 8.628 и ГОСТ Р 8.629. |
| ГОСТ Р 8.636-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки | 01.08.2008 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на растровые электронные микроскопы, применяемые для измерений линейных размеров, и устанавливает методику их калибровки. |
| ГОСТ Р 8.644-2008 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки | 01.06.2009 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на рельефные меры нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов, линейные размеры и материал для изготовления которых соответствуют требованиям ГОСТ Р 8.628. |
| ГОСТ Р 8.670-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Преобразователи индуктивные прецизионные для измерения линейных размеров (параметров). Методика поверки | 01.07.2011 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на индуктивные прецизионные преобразователи, предназначенные для измерений линейных размеров (параметров) до 100 нм, входящие в общую индуктивную измерительную систему, и устанавливает методику их первичной и периодической поверок. |
| ГОСТ Р 8.671-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Приборы активного контроля линейных параметров. Методика поверки | 01.07.2011 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на приборы активного контроля линейных параметров по ГОСТ 8517, применяемые для управления процессом обработки на металлорежущих станках, и устанавливает методику их первичной и периодических поверок. Стандарт распространяется также на приборы с ценой деления 100 нм (0,1 мкм) и погрешностью выдачи управляющих команд 100 нм (0,1 мкм). |
| ГОСТ Р 8.672-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Преобразователи электроконтактные для измерения линейных размеров (параметров). Методика поверки | 01.07.2011 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на электроконтактные преобразователи предельные и амплитудные с отсчетными устройствами и устанавливает методы и средства их первичной и периодической поверок. |
| ГОСТ Р 8.677-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Калибры резьбовые цилиндрические. Методика поверки | 01.12.2010 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт распространяется на цилиндрические резьбовые калибры, выпускаемые из производства по ГОСТ 24997 (ИСО 1502), ГОСТ 1623, ГОСТ 2533, ГОСТ 3199, ГОСТ 10071, ГОСТ 10278, ГОСТ 13798, ГОСТ 14747, ГОСТ 25578, и устанавливает методику их первичной и периодической поверок. Стандарт допускается применять и для поверки других цилиндрических резьбовых калибров с аналогичным профилем резьбы. |
| ГОСТ Р 8.696-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра | 01.09.2010 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра. Стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус 14 до 10 в ст. минус 6 А. Стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния. |
| ГОСТ Р 8.697-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа | 01.09.2010 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и иных образцах толщиной не более 200 нм с помощью просвечивающего электронного микроскопа. Стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 10,00 нм в режиме дифракции и в диапазоне линейных размеров от 0,2 до 10,0 нм в режиме изображения. |
| ГОСТ Р 8.698-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Размерные параметры наночастиц и тонких пленок. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра | 01.09.2010 | введен впервые |
| Область применения: Стандарт устанавливает методику выполнения следующих измерений с помощью автоматического рентгеновского малоуглового дифрактометра:
- максимальных размеров и электронных радиусов инерции наночастиц в монодисперсных системах в диапазоне от 1 до 100 нм;
- распределения наночастиц по размерам в полидисперсных системах в диапазоне от 1 до 100 нм;
- общей толщины и размера периода повторения слоев в многослойных пленках толщиной от 1 до 100 нм.
Стандарт распространяется на:
- материалы, содержащие системы наночастиц со среднеарифметическим расстоянием между ними не менее 10 максимальных линейных размеров, с однородной электронной плотностью, большей или меньшей электронной плотности окружающей их среды;
- многослойные пленки с известным числом одинаковых групп слоев, изготовленные на твердых плоских подложках. |