| Обозначение | Дата введения | Статус |
  ГОСТ 18986.5-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения | 01.01.1975 | действует |
Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring transition time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные диоды и умножительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения времени выключения Нормативные ссылки:  ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 18986.6-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3198-81, ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.7-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring life time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ. Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.6-73;ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring reverse recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды и устанавливает метод измерения времени обратного восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления | 01.01.1975 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 10965-64, ГОСТ 18986.0-74;СТ СЭВ 3198-81 |
| ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring inductance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов: метод I - для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более; метод II - для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 19656.0-74 |
| ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь | 01.07.1985 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Total series equivalent resistance measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на варикапы и туннельные диоды и устанавливает два метода измерения последовательного сопротивления потерь: для варикапов, предназначенных для работы в диапазоне от 0,25 до 1000 МГц; для туннельных диодов Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.11-74, СТ СЭВ 3199-81, IEC 60147-2F;ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.12-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor tunnel diodes. Method for measuring negative conductance of the intrinsic diode Область применения: Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения отрицательной проводимости Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.11-74 |
| ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора | 01.07.1976 | действует |
| Название англ.: Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
| ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений | 01.07.1986 | действует |
| Название англ.: Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод. Стандарт не распространяется на стабилитроны Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-75;ГОСТ 19656.8-74, CT CЭB 2769-80, ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 19656.0-74 |