|
Библиотека государственных стандартовДата актуализации: 01.12.20241 [2] (19 найдено)
Обозначение | Дата введения | Статус |  ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-79; ГОСТ 1770-74; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 9147-80; ГОСТ 13718-68; ГОСТ 14919-83; ГОСТ 19908-80; ГОСТ 20292-74; ГОСТ 25336-82 |  ГОСТ 26239.1-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78; ГОСТ 804-72; ГОСТ 849-70; ГОСТ 859-78; ГОСТ 1277-75; ГОСТ 1467-77; ГОСТ 3118-77; ГОСТ 3640-79; ГОСТ 3778-77; ГОСТ 4331-78; ГОСТ 4461-77; ГОСТ 4526-75; ГОСТ 4530-76; ГОСТ 5905-79; ГОСТ 6008-82; ГОСТ 6835-80; ГОСТ 6836-80; ГОСТ 10216-75; ГОСТ 10262-73; ГОСТ 10928-75; ГОСТ 11069-74; ГОСТ 11125-84; ГОСТ 13610-79; ГОСТ 13637.1-77; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 16539-79; ГОСТ 17746-79; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 22516-77; ГОСТ 23463-79; ГОСТ 26239.0-84;ТУ 6-09-5382-88 |  ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 83-79; ГОСТ 195-77; ГОСТ 244-76; ГОСТ 2603-79; ГОСТ 3118-77; ГОСТ 3773-72; ГОСТ 4160-74; ГОСТ 4461-77; ГОСТ 8321-74; ГОСТ 8429-77; ГОСТ 9656-75; ГОСТ 10007-80; ГОСТ 11125-84; ГОСТ 13637.1-77; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 14262-78; ГОСТ 14919-83; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 19627-74; ГОСТ 20292-74; ГОСТ 23463-79; ГОСТ 26239.0-84; ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-05-504-76;ТУ 6-09-3011-73;ТУ 6-09-3401-88;ТУ 6-09-4305-76 |  ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79; ГОСТ 3765-78; ГОСТ 4198-75; ГОСТ 4328-77; ГОСТ 6006-78; ГОСТ 6259-75; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 9285-78; ГОСТ 10484-78; ГОСТ 10931-74; ГОСТ 11125-84; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 20015-74; ГОСТ 20288-74; ГОСТ 20490-75; ГОСТ 26239.0-84; ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-5384-88;ОСП 72/80 |  ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце. Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78; ГОСТ 618-73; ГОСТ 859-78; ГОСТ 1089-82; ГОСТ 1277-75; ГОСТ 2603-79; ГОСТ 3640-79; ГОСТ 3765-78; ГОСТ 4220-75; ГОСТ 4233-77; ГОСТ 4328-77; ГОСТ 4331-78; ГОСТ 4951-79; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 6835-80; ГОСТ 9293-74; ГОСТ 10297-75; ГОСТ 10484-78; ГОСТ 11125-78; ГОСТ 12797-77; ГОСТ 13610-79; ГОСТ 14261-77; ГОСТ 18289-78; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 18344-78; ГОСТ 24104-88; ГОСТ 26239.0-84;ОСП 72/87 |  ГОСТ 26239.6-84 Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79; ГОСТ 5072-79; ГОСТ 9293-74; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 20015-74; ГОСТ 26239.0-84 |  ГОСТ 26239.7-84 Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами Нормативные ссылки: ГОСТ 334-73; ГОСТ 742-78; ГОСТ 828-77; ГОСТ 2156-76; ГОСТ 3647-80; ГОСТ 3760-79; ГОСТ 4204-77; ГОСТ 4461-77; ГОСТ 4828-83; ГОСТ 5072-79; ГОСТ 6709-72; ГОСТ 10297-75; ГОСТ 10484-78; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 20288-74; ГОСТ 26239.0-84;ОСП-72/87 |  ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79; ГОСТ 5072-79; ГОСТ 9293-74; ГОСТ 18300-87; ГОСТ 20015-74; ГОСТ 25336-82; ГОСТ 26239.0-84 |  ГОСТ Р 71645-2024 Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей | 01.03.2025 | принят |
Название англ.: Silicon is a semiconductor. Method of measuring the concentration of impurities Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемый и модернизируемый полупроводниковый кремний и устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод измерения концентрации примесей с возбуждением спектров разрядов с горячим полым катодом. Интервалы определяемых значений концентрации примесей приведены в приложении А. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний (ПИ), опытных образцов, стандартов на методы измерений, номенклатуру показателей системы показателей качества и технического уровня полупроводникового кремния Нормативные ссылки: ГОСТ 123; ГОСТ 804; ГОСТ 849; ГОСТ 859; ГОСТ 860; ГОСТ 1089; ГОСТ 1277; ГОСТ 1467; ГОСТ 1770; ГОСТ 3640; ГОСТ 3778; ГОСТ 3885; ГОСТ 4530; ГОСТ 4568; ГОСТ 5905; ГОСТ 6008; ГОСТ 6217; ГОСТ 6835; ГОСТ 9293; ГОСТ 10297; ГОСТ 10691.1; ГОСТ 10928; ГОСТ 11069; ГОСТ 11125; ГОСТ 12797; ГОСТ 13510; ГОСТ 13637.1; ГОСТ 14261; ГОСТ 22622; ГОСТ 24222; ГОСТ 2922; ГОСТ Р 53228; ГОСТ Р 55878 | 1 [2] (19 найдено)
|
|