Библиотека государственных стандартов Дата актуализации: 01.01.2024 1 [2] (18 найдено)
Обозначение Дата введения Статус ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа01.01.1986 действует
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-79 ; ГОСТ 1770-74 ; ГОСТ 6709-72 ; ГОСТ 9147-80 ; ГОСТ 13718-68 ; ГОСТ 14919-83 ; ГОСТ 19908-80 ; ГОСТ 20292-74 ; ГОСТ 25336-82 ГОСТ 26239.1-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей01.01.1986 действует
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78 ; ГОСТ 804-72 ; ГОСТ 849-70 ; ГОСТ 859-78 ; ГОСТ 1277-75 ; ГОСТ 1467-77 ; ГОСТ 3118-77 ; ГОСТ 3640-79 ; ГОСТ 3778-77 ; ГОСТ 4331-78 ; ГОСТ 4461-77 ; ГОСТ 4526-75 ; ГОСТ 4530-76 ; ГОСТ 5905-79 ; ГОСТ 6008-82 ; ГОСТ 6835-80 ; ГОСТ 6836-80 ; ГОСТ 10216-75 ; ГОСТ 10262-73 ; ГОСТ 10928-75 ; ГОСТ 11069-74 ; ГОСТ 11125-84 ; ГОСТ 13610-79 ; ГОСТ 13637.1-77 ; ГОСТ 14261-77 ; ГОСТ 16539-79 ; ГОСТ 17746-79 ; ГОСТ 18300-87 ; ГОСТ 22516-77 ; ГОСТ 23463-79 ; ГОСТ 26239.0-84 ;ТУ 6-09-5382-88 ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора01.01.1986 действует
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 83-79 ; ГОСТ 195-77 ; ГОСТ 244-76 ; ГОСТ 2603-79 ; ГОСТ 3118-77 ; ГОСТ 3773-72 ; ГОСТ 4160-74 ; ГОСТ 4461-77 ; ГОСТ 8321-74 ; ГОСТ 8429-77 ; ГОСТ 9656-75 ; ГОСТ 10007-80 ; ГОСТ 11125-84 ; ГОСТ 13637.1-77 ; ГОСТ 14261-77 ; ГОСТ 14262-78 ; ГОСТ 14919-83 ; ГОСТ 18300-87 ; ГОСТ 19627-74 ; ГОСТ 20292-74 ; ГОСТ 23463-79 ; ГОСТ 26239.0-84 ; ГОСТ 26239.1-84 ;ТУ 6-09-05-504-76;ТУ 6-09-3011-73;ТУ 6-09-3401-88;ТУ 6-09-4305-76 ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора01.01.1986 действует
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79 ; ГОСТ 3765-78 ; ГОСТ 4198-75 ; ГОСТ 4328-77 ; ГОСТ 6006-78 ; ГОСТ 6259-75 ; ГОСТ 6709-72 ; ГОСТ 9285-78 ; ГОСТ 10484-78 ; ГОСТ 10931-74 ; ГОСТ 11125-84 ; ГОСТ 14261-77 ; ГОСТ 18300-87 ; ГОСТ 20015-74 ; ГОСТ 20288-74 ; ГОСТ 20490-75 ; ГОСТ 26239.0-84 ; ГОСТ 26239.1-84 ;ТУ 6-09-5384-88;ОСП 72/80 ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей01.01.1986 действует
Название англ.: Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце. Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78 ; ГОСТ 618-73 ; ГОСТ 859-78 ; ГОСТ 1089-82 ; ГОСТ 1277-75 ; ГОСТ 2603-79 ; ГОСТ 3640-79 ; ГОСТ 3765-78 ; ГОСТ 4220-75 ; ГОСТ 4233-77 ; ГОСТ 4328-77 ; ГОСТ 4331-78 ; ГОСТ 4951-79 ; ГОСТ 6709-72 ; ГОСТ 6835-80 ; ГОСТ 9293-74 ; ГОСТ 10297-75 ; ГОСТ 10484-78 ; ГОСТ 11125-78 ; ГОСТ 12797-77 ; ГОСТ 13610-79 ; ГОСТ 14261-77 ; ГОСТ 18289-78 ; ГОСТ 18300-87 ; ГОСТ 18344-78 ; ГОСТ 24104-88 ; ГОСТ 26239.0-84 ;ОСП 72/87 ГОСТ 26239.6-84 Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана01.01.1986 действует
Название англ.: Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79 ; ГОСТ 5072-79 ; ГОСТ 9293-74 ; ГОСТ 18300-87 ; ГОСТ 20015-74 ; ГОСТ 26239.0-84 ГОСТ 26239.7-84 Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота01.01.1986 действует
Название англ.: Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами Нормативные ссылки: ГОСТ 334-73 ; ГОСТ 742-78 ; ГОСТ 828-77 ; ГОСТ 2156-76 ; ГОСТ 3647-80 ; ГОСТ 3760-79 ; ГОСТ 4204-77 ; ГОСТ 4461-77 ; ГОСТ 4828-83 ; ГОСТ 5072-79 ; ГОСТ 6709-72 ; ГОСТ 10297-75 ; ГОСТ 10484-78 ; ГОСТ 18300-87 ; ГОСТ 20288-74 ; ГОСТ 26239.0-84 ;ОСП-72/87 ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния01.01.1986 действует
Название англ.: Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79 ; ГОСТ 5072-79 ; ГОСТ 9293-74 ; ГОСТ 18300-87 ; ГОСТ 20015-74 ; ГОСТ 25336-82 ; ГОСТ 26239.0-84
1 [2] (18 найдено)