|
Библиотека государственных стандартовДата актуализации: 01.12.20241 [2] (19 найдено)
Обозначение | Дата введения | Статус | ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца Нормативные ссылки: ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 1770-74;ГОСТ 6709-72;ГОСТ 9147-80;ГОСТ 13718-68;ГОСТ 14919-83;ГОСТ 19908-80;ГОСТ 20292-74;ГОСТ 25336-82 | ГОСТ 26239.1-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78;ГОСТ 804-72;ГОСТ 849-70;ГОСТ 859-78;ГОСТ 1277-75;ГОСТ 1467-77;ГОСТ 3118-77;ГОСТ 3640-79;ГОСТ 3778-77;ГОСТ 4331-78;ГОСТ 4461-77;ГОСТ 4526-75;ГОСТ 4530-76;ГОСТ 5905-79;ГОСТ 6008-82;ГОСТ 6835-80;ГОСТ 6836-80;ГОСТ 10216-75;ГОСТ 10262-73;ГОСТ 10928-75;ГОСТ 11069-74;ГОСТ 11125-84;ГОСТ 13610-79;ГОСТ 13637.1-77;ГОСТ 14261-77;ГОСТ 16539-79;ГОСТ 17746-79;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 22516-77;ГОСТ 23463-79;ГОСТ 26239.0-84;ТУ 6-09-5382-88 | ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 83-79;ГОСТ 195-77;ГОСТ 244-76;ГОСТ 2603-79;ГОСТ 3118-77;ГОСТ 3773-72;ГОСТ 4160-74;ГОСТ 4461-77;ГОСТ 8321-74;ГОСТ 8429-77;ГОСТ 9656-75;ГОСТ 10007-80;ГОСТ 11125-84;ГОСТ 13637.1-77;ГОСТ 14261-77;ГОСТ 14262-78;ГОСТ 14919-83;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 19627-74;ГОСТ 20292-74;ГОСТ 23463-79;ГОСТ 26239.0-84;ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-05-504-76;ТУ 6-09-3011-73;ТУ 6-09-3401-88;ТУ 6-09-4305-76 | ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79;ГОСТ 3765-78;ГОСТ 4198-75;ГОСТ 4328-77;ГОСТ 6006-78;ГОСТ 6259-75;ГОСТ 6709-72;ГОСТ 9285-78;ГОСТ 10484-78;ГОСТ 10931-74;ГОСТ 11125-84;ГОСТ 14261-77;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 20015-74;ГОСТ 20288-74;ГОСТ 20490-75;ГОСТ 26239.0-84;ГОСТ 26239.1-84;ТУ 6-09-5384-88;ОСП 72/80 | ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце. Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 Нормативные ссылки: ГОСТ 123-78;ГОСТ 618-73;ГОСТ 859-78;ГОСТ 1089-82;ГОСТ 1277-75;ГОСТ 2603-79;ГОСТ 3640-79;ГОСТ 3765-78;ГОСТ 4220-75;ГОСТ 4233-77;ГОСТ 4328-77;ГОСТ 4331-78;ГОСТ 4951-79;ГОСТ 6709-72;ГОСТ 6835-80;ГОСТ 9293-74;ГОСТ 10297-75;ГОСТ 10484-78;ГОСТ 11125-78;ГОСТ 12797-77;ГОСТ 13610-79;ГОСТ 14261-77;ГОСТ 18289-78;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 18344-78;ГОСТ 24104-88;ГОСТ 26239.0-84;ОСП 72/87 | ГОСТ 26239.6-84 Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79;ГОСТ 5072-79;ГОСТ 9293-74;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 20015-74;ГОСТ 26239.0-84 | ГОСТ 26239.7-84 Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами Нормативные ссылки: ГОСТ 334-73;ГОСТ 742-78;ГОСТ 828-77;ГОСТ 2156-76;ГОСТ 3647-80;ГОСТ 3760-79;ГОСТ 4204-77;ГОСТ 4461-77;ГОСТ 4828-83;ГОСТ 5072-79;ГОСТ 6709-72;ГОСТ 10297-75;ГОСТ 10484-78;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 20288-74;ГОСТ 26239.0-84;ОСП-72/87 | ГОСТ 26239.8-84 Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния | 01.01.1986 | действует |
Название англ.: Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом Нормативные ссылки: ГОСТ 2603-79;ГОСТ 5072-79;ГОСТ 9293-74;ГОСТ 18300-87;ГОСТ 20015-74;ГОСТ 25336-82;ГОСТ 26239.0-84 | ГОСТ Р 71645-2024 Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей | 01.03.2025 | принят |
Название англ.: Silicon is a semiconductor. Method of measuring the concentration of impurities Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемый и модернизируемый полупроводниковый кремний и устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод измерения концентрации примесей с возбуждением спектров разрядов с горячим полым катодом. Интервалы определяемых значений концентрации примесей приведены в приложении А. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний (ПИ), опытных образцов, стандартов на методы измерений, номенклатуру показателей системы показателей качества и технического уровня полупроводникового кремния Нормативные ссылки: ГОСТ 123;ГОСТ 804;ГОСТ 849;ГОСТ 859;ГОСТ 860;ГОСТ 1089;ГОСТ 1277;ГОСТ 1467;ГОСТ 1770;ГОСТ 3640;ГОСТ 3778;ГОСТ 3885;ГОСТ 4530;ГОСТ 4568;ГОСТ 5905;ГОСТ 6008;ГОСТ 6217;ГОСТ 6835;ГОСТ 9293;ГОСТ 10297;ГОСТ 10691.1;ГОСТ 10928;ГОСТ 11069;ГОСТ 11125;ГОСТ 12797;ГОСТ 13510;ГОСТ 13637.1;ГОСТ 14261;ГОСТ 22622;ГОСТ 24222;ГОСТ 2922;ГОСТ Р 53228;ГОСТ Р 55878 | 1 [2] (19 найдено)
|
|